Memoirs of the Faculty of Engineering, Yamaguchi University
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Memoirs of the Faculty of Engineering, Yamaguchi University Volume 49 Issue 2
published_at 1999
Effects of initial growth conditions and cooling process on GaN epitaxial growth by RF-MBE
RF-MBE成長GaN薄膜の成長初期過程と降温過程
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Descriptions
RF-MBE法によるGaN薄膜成長に関して,成長初期過程における窒化条件及び低温GaNバッファ層の成長条件と,成長終了後の降温条件を変化させた成長膜の特性評価を行った。AFM測定より,サファイア基板の窒化処理を30分間行ったときのGaN薄膜の表面が最も平坦化することが分かった。また,PL 測定結果より,低温GaNバッファ層を成長温度550℃,成長時間10分で堆積したとき,励起子系の発光強度が最も強く,発光半値幅が最も狭いGaN薄膜が得られた。一方,成長終了後の降温過程では,窒素プラズマを照射しながら降温した場合には成長膜の表面荒れが抑制され,良好な光学特性を有する薄膜が得られることが分かった。これは,窒素ラジカル照射によりGaNからの窒素離脱が抑制されたことに起因するものであると考えられる。
Creator Keywords
RF-MBE
GaN
initial growth conditions
nitridation
LT-GaN
cooling process
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