Effects of initial growth conditions and cooling process on GaN epitaxial growth by RF-MBE

Memoirs of the Faculty of Engineering, Yamaguchi University Volume 49 Issue 2 Page 225-231

published_at 1999

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Title

RF-MBE成長GaN薄膜の成長初期過程と降温過程

Effects of initial growth conditions and cooling process on GaN epitaxial growth by RF-MBE

Creators Sugita Taiichi

Creators Kubo Shuichi

Creators Kawabe Akira

Creators Kurai Satoshi

Creators Yamada Yoichi

Creators Taguchi Tsunemasa

Source Identifiers

Creator Keywords

RF-MBE GaN initial growth conditions nitridation LT-GaN cooling process

RF-MBE法によるGaN薄膜成長に関して,成長初期過程における窒化条件及び低温GaNバッファ層の成長条件と,成長終了後の降温条件を変化させた成長膜の特性評価を行った。AFM測定より,サファイア基板の窒化処理を30分間行ったときのGaN薄膜の表面が最も平坦化することが分かった。また,PL 測定結果より,低温GaNバッファ層を成長温度550℃,成長時間10分で堆積したとき,励起子系の発光強度が最も強く,発光半値幅が最も狭いGaN薄膜が得られた。一方,成長終了後の降温過程では,窒素プラズマを照射しながら降温した場合には成長膜の表面荒れが抑制され,良好な光学特性を有する薄膜が得られることが分かった。これは,窒素ラジカル照射によりGaNからの窒素離脱が抑制されたことに起因するものであると考えられる。

Languages jpn

Resource Type departmental bulletin paper

Publishers 山口大学工学部

Date Issued 1999

File Version Version of Record

Access Rights open access

Relations

[ISSN]0372-7661

[NCID]AN00244228

Schools 工学部