分子線エピタキシー法により組成比xの異なるZnTe_xSe_<1-x>混晶薄膜を作製し,その光学特性の組成比依存性をフォトルミネッセンス分光法により評価した。組成比x=0.09の試料において,Te原子の等電子トラップに起因した発光が確認された。しかしながら,その組成比xを増加させるに伴い,等電子トラップによる影響が弱くなる傾向が見られた。また,このZnTeSe混晶を活性層に用いたZnTeSe/ZnSeダブルヘテロ構造の発光ダイオードを作製し,低温において電流注入による動作で青緑色(中心波長480nm)発光が観測された。