Memoirs of the Faculty of Engineering, Yamaguchi University
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Memoirs of the Faculty of Engineering, Yamaguchi University Volume 47 Issue 2
published_at 1997-03
TEMPERATURE DEPENDENCE OF EXCITONIC LUMINESCENCE FROM HIGH-QUALITY ZnS EPITAXIAL FILMS
高品質ZnSエピタキシャル薄膜における励起子発光の温度依存性
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Descriptions
減圧有機金属化学気相成長(MOCVD)法により,GaAs (100)面基板上へZnSへテロエピタキシャル薄膜の成長を行った。作製されたZnSエピタキシャル薄膜の4.2kにおけるフォトルミネッセンススペクトルはZnS特有のSA発光と呼ばれる深い準位からの発光が抑えられ,自由励起子の輻射再結合が支配的であった。この自由励起子発光は室温(300k)においても観測された。自由励起子発光における線幅の温度依存性は,励起子-LOフォノン散乱および励起子-音響フォノン散乱を考慮することにより解析された。
Creator Keywords
free exciton
bound exciton
low-pressure MOCVD
ZnS
photoluminescence
Other Article
PP. 369 - 374