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Yamamoto Setsuo
Affiliate Master
Yamaguchi University
Publish Date (<span class="translation_missing" title="translation missing: en.view.desc">Desc</span>)
IEICE technical report. Magnetic recording Volume 98 Issue 103
pp. 7 - 14
published_at 1998-06-11
IEICE technical report. Magnetic recording Volume 98 Issue 182
pp. 15 - 21
published_at 1998-07-17
Journal of Magnetics Society of Japan Volume 10 Issue 2
pp. 105 - 108
published_at 1986
IEICE technical report. Magnetic recording Volume 97 Issue 384
pp. 13 - 17
published_at 1997-11-20
IEICE technical report. Magnetic recording Volume 101 Issue 105
pp. 35 - 42
published_at 2001-05-31
Journal of Magnetics Society of Japan Volume 11 Issue 2
pp. 109 - 114
published_at 1987
Journal of Magnetics Society of Japan Volume 17 Issue S2(Supplement)
pp. 231 - 236
published_at 1993
Journal of Magnetics Society of Japan Volume 20 Issue 2
pp. 57 - 60
published_at 1996
Journal of Magnetics Society of Japan Volume 27 Issue 4
pp. 363 - 366
published_at 2003
Journal of Magnetics Society of Japan Volume 28 Issue 5
pp. 703 - 706
published_at 2004
Journal of Magnetics Society of Japan Volume 29 Issue 2
pp. 66 - 71
published_at 2005
Journal of Magnetics Society of Japan Volume 22 Issue 3
pp. 125 - 128
published_at 1998
Journal of Magnetics Society of Japan Volume 12 Issue 2
pp. 147 - 150
published_at 1988
IEICE technical report. Magnetic recording Volume 96 Issue 166
pp. 7 - 13
published_at 1996-07-19
ECRスパッタ法によりCo-Cr膜を作成したとき、その磁気特性と結晶学的特性は成膜中の基板を照射するイオン加速電圧に強く依存することか明らかとなった。このイオン加速電圧はArガス圧とターゲット-基板間距離により制御することができ、イオン加速電圧を20V以下に適正化した結果、50nmの厚さのCo-Cr膜で、優れた結晶配向性(5゜以下のΔθ_<50>)、高い垂直異方性磁界(4kOe以上のH_k)、高い垂直方向力(1400Oe以上のH_<c⊥>)が得ることができた。
IEICE technical report. Magnetic recording Volume 97 Issue 92
pp. 41 - 46
published_at 1997-06-13
誘導結合型プラズマ(ICP)を利用したマグネトロンスパッタ装置を試作し、Co-Cr垂直磁気異方性膜の作製を行った。誘導結合型プラズマ支援マグネトロンスパッタ装置では、高周波によるプラズマ生成と、ターゲットに印可した直流によるスパッタ成膜とが機能分離できているために、通常のマグネトロンスパッタ法ではプラズマの維持が不可能な低いターゲット電圧領域においてもCo-Cr薄膜の作成が可能なことが明らかになった。ICPを用いることで、通常のマグネトロンスパッタ法のみの場合よりも、高い成膜速度が実現できた。ICP電力を増すと、作製したCo-Cr膜の垂直磁気異方性は減少する傾向がみられた。大きな垂直磁気異方性をもつCo-Cr膜を高速に作製するには、ICPを用いることに加えて、正の基板バイアス電圧の印可を併用することが効果的であるとの見通しを得た。
IEICE technical report. Magnetic recording Volume 99 Issue 572
pp. 1 - 8
published_at 2000-01-20
電子サイクロトロン共鳴マイクロ波プラズマを利用したスパッタ成膜装置(ECRスパッタ装置)において、独自のパラメータであるマイクロ波電力に着目し、これを活用してCo-Cr-Ta/Ti垂直磁気ディスクの高性能化を試みた。プラズマ生成室に投入するマイクロ波電力を増加させると、生成されるプラズマ密度が増加し、成膜速度を高まること、成膜中に基板を照射するArイオンの量が増加することが明らかになった。Co-Cr-Ta膜の作製において、マイクロ波パワーを成膜初期には高パワーとし、途中からは低パワーに変更するという制御を行うことによって、グレインが微細で、磁気特性および記録特性に優れた垂直磁気ディスクをパワー一定とした従来よりも高速に作製できることを見出した。
IEICE technical report. Magnetic recording Volume 86 Issue 63
pp. 41 - 47
published_at 1986-06-20
ITEJ Technical Report Volume 15 Issue 66
pp. 39 - 44
published_at 1991-11-14
ITEJ Technical Report Volume 14 Issue 23
pp. 31 - 38
published_at 1990-05-16
IEICE technical report. Magnetic recording Volume 91 Issue 41
pp. 13 - 18
published_at 1991-05-21