Yamamoto Setsuo

Affiliate Master Yamaguchi University

Study of ion bonberdment effect for Co-Cr films prepared by sputtering using electron cyclotron resonance microwave plasma

IEICE technical report. Magnetic recording Volume 96 Issue 166 Page 7-13

published_at 1996-07-19

Title

ECRスパッタ法によるCo-Cr垂直磁気異方性膜作成におけるイオン照射効果の検討

Study of ion bonberdment effect for Co-Cr films prepared by sputtering using electron cyclotron resonance microwave plasma

Abstract

ECRスパッタ法によりCo-Cr膜を作成したとき、その磁気特性と結晶学的特性は成膜中の基板を照射するイオン加速電圧に強く依存することか明らかとなった。このイオン加速電圧はArガス圧とターゲット-基板間距離により制御することができ、イオン加速電圧を20V以下に適正化した結果、50nmの厚さのCo-Cr膜で、優れた結晶配向性(5゜以下のΔθ_<50>)、高い垂直異方性磁界(4kOe以上のH_k)、高い垂直方向力(1400Oe以上のH_<c⊥>)が得ることができた。

Creators 佐藤王高

Creators Yamamoto Setsuo

Creators Kurisu Hiroki

Creators 松浦満

Creators 廣野滋

Creators 前田安

Source Identifiers [NCID] AN10013050

Creator Keywords

Cc-Cr 垂直磁気記録記録媒体 ECRスパッタリソグイオン加速電圧

Languages jpn

Resource Type journal article

Publishers 電子情報通信学会

Date Issued 1996-07-19

File Version Not Applicable (or Unknown)

Access Rights metadata only access

Relations

[isVersionOf] [NAID]110003186056

Schools 大学院理工学研究科（工学）