Memoirs of the Faculty of Engineering, Yamaguchi University
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Memoirs of the Faculty of Engineering, Yamaguchi University Volume 48 Issue 2
published_at 1998
OPTICAL CHARACTERIZATION OF Cd_xZn_<1-x>Se TERNARY ALLOY LAYERS GROWN BY MBE
MBE法によるCd_xZn_<1-x>Se混晶薄膜の作成と光学的評価
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Descriptions
Cd_xZn_<1-x>Se混晶薄膜の組成揺らぎによる励起子線幅の不均一広がりと分子線強度比(Se/Cd, Zn)との関係を明らかにするために, Cd_xZn_<1-x>Se混晶薄膜の光学的評価を行った。成長はMBE装置を用い, 分子線強度比を1.0から3.0に変化させて行った。x=0.2における励起子の発光線幅はSe/CdZn=1.0と1.5のときは30.1meVと 14.0meVであるのに対し, Se/Cd, Zn=2.0と3.0のときは6.1meVと7.8meVであった。この値は理論値に非常に近い値であった。このことから, Se供給量を増加させることにより2次元成長が可能になり, 結晶性が向上し, 組成揺らぎを押さえることができると考えられる。
Creator Keywords
beam flux ratio
exciton linewidth
ternary alloy
uneven composition
2D-epitaxial growth
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