TEMPERATURE DEPENDENCE OF EXCITONIC LUMINESCENCE FROM HIGH-QUALITY ZnS EPITAXIAL FILMS
Memoirs of the Faculty of Engineering, Yamaguchi University Volume 47 Issue 2
Page 369-374
published_at 1997-03
Title
高品質ZnSエピタキシャル薄膜における励起子発光の温度依存性
TEMPERATURE DEPENDENCE OF EXCITONIC LUMINESCENCE FROM HIGH-QUALITY ZnS EPITAXIAL FILMS
Source Identifiers
Creator Keywords
free exciton
bound exciton
low-pressure MOCVD
ZnS
photoluminescence
減圧有機金属化学気相成長(MOCVD)法により,GaAs (100)面基板上へZnSへテロエピタキシャル薄膜の成長を行った。作製されたZnSエピタキシャル薄膜の4.2kにおけるフォトルミネッセンススペクトルはZnS特有のSA発光と呼ばれる深い準位からの発光が抑えられ,自由励起子の輻射再結合が支配的であった。この自由励起子発光は室温(300k)においても観測された。自由励起子発光における線幅の温度依存性は,励起子-LOフォノン散乱および励起子-音響フォノン散乱を考慮することにより解析された。
Languages
jpn
Resource Type
departmental bulletin paper
Publishers
山口大学工学部
Date Issued
1997-03
File Version
Version of Record
Access Rights
open access
Relations
[ISSN]0372-7661
[NCID]AN00244228
Schools
工学部