山口大学ベンチャービジネスラボラトリー年報
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山口大学ベンチャービジネスラボラトリー年報 Volume 6
published_at 2002
フロント・エンド・ULSIデバイスの提案 : MOSFETのHigh-Kゲート絶縁膜（HfO_2)の革新的作製方法を目指して
フロント・エンド・ULSIデバイスの提案 : MOSFETのHigh-Kゲート絶縁膜（HfO_2)の革新的作製方法を目指して
松尾 直人
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