Taguchi Tsunemasa

Affiliate Master Yamaguchi University

TEMPERATURE DEPENDENCE OF EXCITONIC LUMINESCENCE FROM HIGH-QUALITY ZnS EPITAXIAL FILMS

Memoirs of the Faculty of Engineering, Yamaguchi University Volume 47 Issue 2 Page 369-374

published_at 1997-03

KJ00000157087.pdf

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Title

高品質ZnSエピタキシャル薄膜における励起子発光の温度依存性

TEMPERATURE DEPENDENCE OF EXCITONIC LUMINESCENCE FROM HIGH-QUALITY ZnS EPITAXIAL FILMS

Creators Nakamura Seiji

Creators Yamamoto Takaho

Creators Yamada Yoichi

Creators Taguchi Tsunemasa

Source Identifiers

Creator Keywords

free exciton bound exciton low-pressure MOCVD ZnS photoluminescence

減圧有機金属化学気相成長(MOCVD)法により,GaAs (100)面基板上へZnSへテロエピタキシャル薄膜の成長を行った。作製されたZnSエピタキシャル薄膜の4.2kにおけるフォトルミネッセンススペクトルはZnS特有のSA発光と呼ばれる深い準位からの発光が抑えられ,自由励起子の輻射再結合が支配的であった。この自由励起子発光は室温(300k)においても観測された。自由励起子発光における線幅の温度依存性は,励起子-LOフォノン散乱および励起子-音響フォノン散乱を考慮することにより解析された。

Subjects

電気電子工学 ( Other)

Languages jpn

Resource Type departmental bulletin paper

Publishers 山口大学工学部

Date Issued 1997-03

File Version Version of Record

Access Rights open access

Relations

[ISSN]0372-7661

[NCID]AN00244228

Schools 工学部