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OPTICAL CHARACTERIZATION OF Cd_xZn_<1-x>Se TERNARY ALLOY LAYERS GROWN BY MBE

Memoirs of the Faculty of Engineering, Yamaguchi University Volume 48 Issue 2 Page 191-196
published_at 1998
KJ00000157127.pdf
[fulltext] 599 KB
Title
MBE法によるCd_xZn_<1-x>Se混晶薄膜の作成と光学的評価
OPTICAL CHARACTERIZATION OF Cd_xZn_<1-x>Se TERNARY ALLOY LAYERS GROWN BY MBE
Creators Fujimoto M.
Creators Shigematsu H.
Creators Senda K.
Creators Ishida K.
Creators Yoshikawa M.
Creators Kubo H.
Creators Yamada Y.
Creators Taguchi T.
Source Identifiers
Creator Keywords
beam flux ratio exciton linewidth ternary alloy uneven composition 2D-epitaxial growth
Cd_xZn_<1-x>Se混晶薄膜の組成揺らぎによる励起子線幅の不均一広がりと分子線強度比(Se/Cd, Zn)との関係を明らかにするために, Cd_xZn_<1-x>Se混晶薄膜の光学的評価を行った。成長はMBE装置を用い, 分子線強度比を1.0から3.0に変化させて行った。x=0.2における励起子の発光線幅はSe/CdZn=1.0と1.5のときは30.1meVと 14.0meVであるのに対し, Se/Cd, Zn=2.0と3.0のときは6.1meVと7.8meVであった。この値は理論値に非常に近い値であった。このことから, Se供給量を増加させることにより2次元成長が可能になり, 結晶性が向上し, 組成揺らぎを押さえることができると考えられる。
Subjects
電気電子工学 ( Other)
Languages jpn
Resource Type departmental bulletin paper
Publishers 山口大学工学部
Date Issued 1998
File Version Version of Record
Access Rights open access
Relations
[ISSN]0372-7661
[NCID]AN00244228
Schools 工学部