Preparation of Co-Cr films using magnetron sputtering assisted by inductively-coupled-plasma
IEICE technical report. Magnetic recording Volume 97 Issue 384
Page 13-17
published_at 1997-11-20
Title
誘導結合型プラズマ支援マグネトロンスパッタ法によるCo-Cr膜の作製 : 基板バイアスによって制御したイオン照射の効果
Preparation of Co-Cr films using magnetron sputtering assisted by inductively-coupled-plasma
Creator Keywords
誘導結合型プラズマ
スパッタ成膜法
イオン照射
Co-Cr膜
垂直磁気記録
誘導結合型プラズマ生成法とマグネトロンスパッタ法を組み合わせたスパッタ装置を試作して、Co-Cr垂直磁気異方性薄膜の作製を行った。このスパッタ装置は、プラズマ生成、スパッリングおよび成膜がほぼ独立しているために、従来の2極スパック法よりもプラズマ状態や成膜中の基板へのイオン照射を柔軟に制御できるという特徴をもつ。基板に加えるバイアス電圧を-50Vから＋10OVの範囲で変化させてイオン照射を変化させた実験によって、イオン照射が極めて少ない状況下では高い垂直方向抗磁力と高い垂直磁気異方性が発現しないことがわかった。さらに、電子サイクロトロン共鳴マイクロ波プラズマを用いたスパック成膜法による実験結果と総合したところ、高い垂直方向抗磁力と高い垂直磁気異方性のCo-Cr薄膜を得るには、イオン照射によるエネルギーの最適なアシス卜量があることが明らかになった。
Languages
jpn
Resource Type
journal article
Publishers
電子情報通信学会
Date Issued
1997-11-20
File Version
Not Applicable (or Unknown)
Access Rights
metadata only access
Relations
[NCID]AN10013050
[isVersionOf]
[NAID]http://ci.nii.ac.jp/naid/110003186114/
[isVersionOf]
[URI]http://ci.nii.ac.jp/vol_issue/nels/AN10013050_jp.html
Schools
大学院理工学研究科（工学）