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Kurisu Hiroki

Affiliate Master Yamaguchi University

Preparation of Co-Cr films using magnetron sputtering assisted by inductively-coupled-plasma

IEICE technical report. Magnetic recording Volume 97 Issue 384 Page 13-17
published_at 1997-11-20
Title
誘導結合型プラズマ支援マグネトロンスパッタ法によるCo-Cr膜の作製 : 基板バイアスによって制御したイオン照射の効果
Preparation of Co-Cr films using magnetron sputtering assisted by inductively-coupled-plasma
Creators Yamamoto Setsuo
Creators 林 利彦
Creators Kurisu Hiroki
Creators 松浦 満
Creator Keywords
誘導結合型プラズマ スパッタ成膜法 イオン照射 Co-Cr膜 垂直磁気記録
誘導結合型プラズマ生成法とマグネトロンスパッタ法を組み合わせたスパッタ装置を試作して、Co-Cr垂直磁気異方性薄膜の作製を行った。このスパッタ装置は、プラズマ生成、スパッリングおよび成膜がほぼ独立しているために、従来の2極スパック法よりもプラズマ状態や成膜中の基板へのイオン照射を柔軟に制御できるという特徴をもつ。基板に加えるバイアス電圧を-50Vから+10OVの範囲で変化させてイオン照射を変化させた実験によって、イオン照射が極めて少ない状況下では高い垂直方向抗磁力と高い垂直磁気異方性が発現しないことがわかった。さらに、電子サイクロトロン共鳴マイクロ波プラズマを用いたスパック成膜法による実験結果と総合したところ、高い垂直方向抗磁力と高い垂直磁気異方性のCo-Cr薄膜を得るには、イオン照射によるエネルギーの最適なアシス卜量があることが明らかになった。
Languages jpn
Resource Type journal article
Publishers 電子情報通信学会
Date Issued 1997-11-20
File Version Not Applicable (or Unknown)
Access Rights metadata only access
Relations
[NCID]AN10013050
[isVersionOf] [NAID]http://ci.nii.ac.jp/naid/110003186114/
[isVersionOf] [URI]http://ci.nii.ac.jp/vol_issue/nels/AN10013050_jp.html
Schools 大学院理工学研究科(工学)