Contents Menu

PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES OF In_xGa_<1-x>N ALLOY FILMS GROWN BY METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Memoirs of the Faculty of Engineering, Yamaguchi University Volume 48 Issue 2 Page 183-189
published_at 1998
KJ00000157126.pdf
[fulltext] 717 KB
Title
MOCVD成長In_xGa_<1-x>N混晶薄膜のフォトルミネッセンス特性
PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES OF In_xGa_<1-x>N ALLOY FILMS GROWN BY METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
Creators Uchida Akira
Creators Yamada Yoichi
Creators Taguchi Tsunemasa
Source Identifiers
Creator Keywords
InGaN localized exciton self trapping isoelectronic trap alloy potential fluctuation temperature dependence surface-mode stimulated emission
MOCVD法により,GaNバッファー層/サファイア基板上に成長させたアンドープIn_xGa_<1-x>NとSiドープ In_xGa_<1-x>N (x=0.08)混晶薄膜を用いてフォトルミネッセンス測定を行った。低温において,アンドープInGaNでは~384nm,Siドープ InGaNでは~386nmに強い単一の発光帯が観測された。フォトルミネッセンスの温度依存性の測定により,これらの発光帯は少なくとも2種類の発光成分から構成されていることが分かった。さらに,アンドープ,SiドープInGaN両試料ともに,主ピークの低エネルギー側から表面モードの誘導放出光が観測された。励起パワー密度依存性の測定結果と合わせて,窒化物三元混晶系特有の発光機構について考察する。
Subjects
電気電子工学 ( Other)
Languages jpn
Resource Type departmental bulletin paper
Publishers 山口大学工学部
Date Issued 1998
File Version Version of Record
Access Rights open access
Relations
[ISSN]0372-7661
[NCID]AN00244228
Schools 工学部