Taguchi Tsunemasa
Affiliate Master
Yamaguchi University
GROWTH-THICKNESS DEPENDENCE OF EXCITONIC LUMINESCENCE FROM ZnS EPIYTAXIAL LAYERS
Memoirs of the Faculty of Engineering, Yamaguchi University Volume 49 Issue 1
Page 71-76
published_at 1998
Title
ZnS薄膜における励起子発光特性の成長膜厚依存性
GROWTH-THICKNESS DEPENDENCE OF EXCITONIC LUMINESCENCE FROM ZnS EPIYTAXIAL LAYERS
Creators
Sakashita Takashi
Creators
Sasaki Chiharu
Creators
Nakamura Seiji
Creators
Yokogawa Toshiya
Source Identifiers
Creator Keywords
Light-hole exciton
Heavy-hole exciton
low-pressure MOCVD
Bimetallic strip model
減圧有機金属化学気相成長法により,GaAs (100)面基板上へZnSヘテロエピタキシャル薄膜の成長を行った。GaAsとの格子不整合が4.3%と非常に大きいにもかかわらず,ZnSエピタキシャル薄膜の膜厚を2μmから8μmと厚く成長することで,X線Rocking curveおよび自由励起子発光線の半値全幅は漸次的に減少し,最小でそれぞれ144 arcsecおよび1.7meVとこれまでに報告のない非常に高品質なZnS薄膜の成長に成功した。さらに,自由励起子発光線は軽い正孔による自由励起子発光線と重い正孔による自由励起子発光線に分裂していることが観測された。この分裂は,GaAs基板との熱膨張係数の違いからくる引っ張り歪みに起因したものであるとして説明された。
Languages
jpn
Resource Type
departmental bulletin paper
Publishers
山口大学工学部
Date Issued
1998
File Version
Version of Record
Access Rights
open access
Relations
[ISSN]0372-7661
[NCID]AN00244228
Schools
工学部