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フロント・エンド・ULSIデバイスの提案 : MOSFETのHigh-Kゲート絶縁膜(HfO_2)の革新的作製方法を目指して

山口大学ベンチャービジネスラボラトリー年報 Volume 6 Page 43-43
published_at 2002
D530006000004.pdf
[fulltext] 817 KB
Title
フロント・エンド・ULSIデバイスの提案 : MOSFETのHigh-Kゲート絶縁膜(HfO_2)の革新的作製方法を目指して
Creators 松尾 直人
Source Identifiers
Languages jpn
Resource Type research report
Publishers 山口大学ベンチャービジネスラボラトリー
Date Issued 2002
File Version Version of Record
Access Rights open access
Schools 工学部