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タイトル | Dependence of internal quantum efficiency on doping region and Si concentration in Al-rich AlGaN quantum wells |
作成者 | Murotani, Hideaki
Akase, Daiki
Anai, Koji
Yamada, Yoichi
Miyake, Hideto
Hiramatsu, Kazumasa
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作成者ヨミ | ムロタニ, ヒデアキ
アカセ, ダイキ
アナイ, コウジ
ヤマダ, ヨウイチ
ミヤケ, ヒデト
ヒラマツ, カズマサ
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作成者別表記 | 山田, 陽一
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作成者所属 | 山口大学大学院理工学研究科(工学)
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本文言語 | eng
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資料タイプ | text |
出版者 | American Institute of Physics
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NII資料タイプ | 学術雑誌論文 |
ISSN | 0003-6951
1077-3118
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NCID | AA00543431
AA11868096
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掲載誌名 | Applied physics letters |
巻 | 101 |
号 | 4 |
開始ページ | 042110 |
発行日 | 2012-07-23 |
DOI | info:doi/10.1063/1.4739431 |
関連情報URL(IsPartOf) | http://apl.aip.org/
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著者版/出版社版 | その他 |
備考 | [ページ]の”042110”は論文番号 |
リポジトリID | 2012010569 |
地域区分 | 山口大学
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URI | http://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/2012010569 |