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Epitaxy Part B. Epitaxial growth of GaN on Ppatterned sapphire substrates
作成者 : Tadatomo, Kazuyuki 掲載誌名 : Topics in applied physics 巻 : 126 号 : 開始ページ : 59 終了ページ : 81 発行日 : 2013 リポジトリID : 2013010442
アクセス件数 : 309 件 ダウンロード件数 : 0 件

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