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Characterization and growth mechanism of nonpolar and semipolar GaN layers grown on patterned sapphire substrates
作成者 :
Okada, Narihito / Tadatomo, Kazuyuki
掲載誌名 :
Semiconductor science and technology
巻 :
27
号 :
2
開始ページ :
024003
終了ページ :
発行日 :
2012-02
リポジトリID :
2012010282
アクセス件数 ：
484 件
ダウンロード件数 ：
0 件
[1]