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Characterization and growth mechanism of nonpolar and semipolar GaN layers grown on patterned sapphire substrates
作成者 : Okada, Narihito / Tadatomo, Kazuyuki 掲載誌名 : Semiconductor science and technology 巻 : 27 号 : 2 開始ページ : 024003 終了ページ : 発行日 : 2012-02 リポジトリID : 2012010282
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