Temperature variation of non-radiative recombination rate in a-Si : H films

作成者 : Ogihara, Chisato / Morigaki, Kazuo 掲載誌名 : Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics : PSS 巻 : 9 号 : 12 開始ページ : 2574 終了ページ : 2577 発行日 : 2012-12 リポジトリID : 2012011385
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Behavior of misfit dislocations in semipolar InGaN/GaN grown by MOVPE

作成者 : Kuwahara, Takaaki / Kuwano, Noriyuki / Kurisu, Akihiko / Okada, Narihito / Tadatomo, Kazuyuki 掲載誌名 : Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics : PSS 巻 : 9 号 : 3-4 開始ページ : 488 終了ページ : 491 発行日 : 2012-03 リポジトリID : 2012010125
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Growth of {11-22} GaN on shallowly etched r-plane patterned sapphire substrates

作成者 : Furuya, Hiroshi / Okada, Narihito / Tadatomo, Kazuyuki 掲載誌名 : Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics : PSS 巻 : 9 号 : 3-4 開始ページ : 568 終了ページ : 571 発行日 : 2012-03 リポジトリID : 2012010124
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