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掲載誌名 別一覧
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Theoretical considerations on efficiency degradation due to thermal effect in a planar GaN-based LED with a GaN substrate
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作成者 : Sato-Iwanaga, Junko / Liu, Yang / Dutton, Robert W. / Tsuchiya, Hideaki / Yokogawa, Toshiya
掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
巻 : 53
号 : 10
開始ページ : 102101
終了ページ :
発行日 : 2014-10
リポジトリID : 2014010591
アクセス件数 : 638 件
ダウンロード件数 : 0 件
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Characterization of structural defects in semipolar {202^-1} GaN layers grown on {224^-3} patterned sapphire substrates
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作成者 : Yamane, Keisuke / Inagaki, Takashi / Hashimoto, Yasuhiro / Koyama, Masakazu / Okada, Narihito / Tadatomo, Kazuyuki
掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
巻 : 53
号 : 3
開始ページ : 035502
終了ページ :
発行日 : 2014-03
リポジトリID : 2014010462
アクセス件数 : 528 件
ダウンロード件数 : 0 件
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Development of a low-temperature insert for precise magnetization measurement below t = 2k with a superconducting quantum interference device magnetometer
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作成者 : Sato, Yoshiaki / Makiyama, Shun / Sakamoto, Yasutaka / Hasuo, Tadahiko / Inagaki, Yuji / Fujiwara, Tetsuya / Suzuki, Hiroyuki S. / Matsubayashi, Kazuyuki / Uwatoko, Yoshiya / Kawae, Tatsuya
掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
巻 : 52
号 : 10
開始ページ : 106702
終了ページ :
発行日 : 2013-10
リポジトリID : 2013010650
アクセス件数 : 728 件
ダウンロード件数 : 0 件
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Self-separation of large freestanding semipolar (11-22) GaN films using r-plane patterned sapphire substrates
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作成者 : Furuya, Hiroshi / Yamane, Keisuke / Okada, Narihito / Tadatomo, Kazuyuki
掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
巻 : 52
号 : 8S
開始ページ : 08JA09
終了ページ :
発行日 : 2013-08
リポジトリID : 2013010488
アクセス件数 : 715 件
ダウンロード件数 : 0 件
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Emission wavelength dependence of internal quantum efficiency in InGaN nanowires
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作成者 : Murotani, Hideaki / Andoh, Hiroya / Tsukamoto, Takehiko / Sugiura, Toko / Yamada, Yoichi / Tabata, Takuya / Honda, Yoshio / Yamaguchi, Masatoshi / Amano, Hiroshi
掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
巻 : 52
号 : 8S
開始ページ : 08JE10
終了ページ :
発行日 : 2013-08
リポジトリID : 2013010486
アクセス件数 : 526 件
ダウンロード件数 : 0 件
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Cathodoluminescence study of optical inhomogeneity in si-doped algan epitaxial layers grown by low-pressure metalorganic vapor-phase epitaxy
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作成者 :
掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
巻 : 52
号 : 8S
開始ページ : 08JL07
終了ページ :
発行日 : 2013-08
リポジトリID : 2013010487
アクセス件数 : 953 件
ダウンロード件数 : 0 件
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