Theoretical considerations on efficiency degradation due to thermal effect in a planar GaN-based LED with a GaN substrate

作成者 : Sato-Iwanaga, Junko / Liu, Yang / Dutton, Robert W. / Tsuchiya, Hideaki / Yokogawa, Toshiya 掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics 巻 : 53 号 : 10 開始ページ : 102101 終了ページ : 発行日 : 2014-10 リポジトリID : 2014010591
アクセス件数 ： 436 件 ダウンロード件数 ： 0 件

Characterization of structural defects in semipolar {202^-1} GaN layers grown on {224^-3} patterned sapphire substrates

作成者 : Yamane, Keisuke / Inagaki, Takashi / Hashimoto, Yasuhiro / Koyama, Masakazu / Okada, Narihito / Tadatomo, Kazuyuki 掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics 巻 : 53 号 : 3 開始ページ : 035502 終了ページ : 発行日 : 2014-03 リポジトリID : 2014010462
アクセス件数 ： 332 件 ダウンロード件数 ： 0 件

Development of a low-temperature insert for precise magnetization measurement below t = 2k with a superconducting quantum interference device magnetometer

作成者 : Sato, Yoshiaki / Makiyama, Shun / Sakamoto, Yasutaka / Hasuo, Tadahiko / Inagaki, Yuji / Fujiwara, Tetsuya / Suzuki, Hiroyuki S. / Matsubayashi, Kazuyuki / Uwatoko, Yoshiya / Kawae, Tatsuya 掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics 巻 : 52 号 : 10 開始ページ : 106702 終了ページ : 発行日 : 2013-10 リポジトリID : 2013010650
アクセス件数 ： 523 件 ダウンロード件数 ： 0 件

Emission wavelength dependence of internal quantum efficiency in InGaN nanowires

作成者 : Murotani, Hideaki / Andoh, Hiroya / Tsukamoto, Takehiko / Sugiura, Toko / Yamada, Yoichi / Tabata, Takuya / Honda, Yoshio / Yamaguchi, Masatoshi / Amano, Hiroshi 掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics 巻 : 52 号 : 8S 開始ページ : 08JE10 終了ページ : 発行日 : 2013-08 リポジトリID : 2013010486
アクセス件数 ： 377 件 ダウンロード件数 ： 0 件

Self-separation of large freestanding semipolar (11-22) GaN films using r-plane patterned sapphire substrates

作成者 : Furuya, Hiroshi / Yamane, Keisuke / Okada, Narihito / Tadatomo, Kazuyuki 掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics 巻 : 52 号 : 8S 開始ページ : 08JA09 終了ページ : 発行日 : 2013-08 リポジトリID : 2013010488
アクセス件数 ： 522 件 ダウンロード件数 ： 0 件

Cathodoluminescence study of optical inhomogeneity in si-doped algan epitaxial layers grown by low-pressure metalorganic vapor-phase epitaxy

作成者 : 掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics 巻 : 52 号 : 8S 開始ページ : 08JL07 終了ページ : 発行日 : 2013-08 リポジトリID : 2013010487
アクセス件数 ： 736 件 ダウンロード件数 ： 0 件