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マスクレスサファイア加工基板上非極性面窒化物半導体の結晶成長メカニズム(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
作成者 : 岡田, 成仁 / 只友, 一行 掲載誌名 : 日本結晶成長学会誌 巻 : 38 号 : 4 開始ページ : 231 終了ページ : 240 発行日 : 2012-01 リポジトリID : 2012010083
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