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Characterization of semipolar {11$ \bar 2 $2} light-emitting diodes using a hole blocking layer
作成者 : Nakao, Kota / Haziq, Muhammad / Okamura, Yasumasa / Yamane, Keisuke / Okada, Narihito / Tadatomo, Kazuyuki 掲載誌名 : Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics 巻 : 11 号 : 3-4 開始ページ : 775 終了ページ : 777 発行日 : 2014-04 リポジトリID : 2014010316
アクセス件数 : 630 件 ダウンロード件数 : 0 件
Epitaxial lateral overgrowth of thick semipolar {11$ \bar 2 $2} GaN by hydride vapor phase epitaxy
作成者 : Hashimoto, Yasuhiro / Furuya, Hiroshi / Ueno, Motohisa / Yamane, Keisuke / Okada, Narihito / Tadatomo, Kazuyuki 掲載誌名 : Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics 巻 : 11 号 : 3-4 開始ページ : 549 終了ページ : 552 発行日 : 2014-04 リポジトリID : 2014010315
アクセス件数 : 607 件 ダウンロード件数 : 0 件
Characterization of structural defects in semipolar {202^-1} GaN layers grown on {224^-3} patterned sapphire substrates
作成者 : Yamane, Keisuke / Inagaki, Takashi / Hashimoto, Yasuhiro / Koyama, Masakazu / Okada, Narihito / Tadatomo, Kazuyuki 掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics 巻 : 53 号 : 3 開始ページ : 035502 終了ページ : 発行日 : 2014-03 リポジトリID : 2014010462
アクセス件数 : 283 件 ダウンロード件数 : 0 件
Self-separation of large freestanding semipolar (11-22) GaN films using r-plane patterned sapphire substrates
作成者 : Furuya, Hiroshi / Yamane, Keisuke / Okada, Narihito / Tadatomo, Kazuyuki 掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics 巻 : 52 号 : 8S 開始ページ : 08JA09 終了ページ : 発行日 : 2013-08 リポジトリID : 2013010488
アクセス件数 : 453 件 ダウンロード件数 : 0 件
Successful natural stress-induced separation of hydride vapor phase epitaxy-grown GaN layers on sapphire substrates
作成者 : Yamane, K. / Ueno, M. / Furuya, H. / Okada, N. / Tadatomo, K. 掲載誌名 : Journal of crystal growth 巻 : 358 号 : 開始ページ : 1 終了ページ : 4 発行日 : 2012-11-01 リポジトリID : 2012010971
アクセス件数 : 484 件 ダウンロード件数 : 0 件
Improved external quantum efficiency and controlled light distribution for light-emitting diodes with cone array composed of SiO _xN_y
作成者 : Uchida, Akimi / Miyoshi, Seita / Yamane, Keisuke / Okada, Narihito / Tadatomo, Kazuyuki 掲載誌名 : Applied physics express 巻 : 5 号 : 9 開始ページ : 092102 終了ページ : 発行日 : 2012-09 リポジトリID : 2012010765
アクセス件数 : 571 件 ダウンロード件数 : 0 件
Reduction in dislocation density of semipolar GaN layers on patterned sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy
作成者 : Yamane, Keisuke / Ueno, Motohisa / Uchida, Katsumi / Furuya, Hiroshi / Okada, Narihito / Tadatomo, Kazuyuki 掲載誌名 : Applied physics express 巻 : 5 号 : 9 開始ページ : 095503 終了ページ : 発行日 : 2012-09 リポジトリID : 2012010766
アクセス件数 : 503 件 ダウンロード件数 : 0 件
High-quality {20-21} GaN layers on patterned sapphire substrate with wideterrace
作成者 : Okada, Narihito / Oshita, Hiroyasu / Yamane, Keisuke / Tadatomo, Kazuyuki 掲載誌名 : Applied Physics Letters 巻 : 99 号 : 24 開始ページ : 242103 終了ページ : 発行日 : 2011-12-12 リポジトリID : 2011010195
アクセス件数 : 520 件 ダウンロード件数 : 0 件

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