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Si concentration dependence of structural inhomogeneities in Si-doped Al_xGa_1-_xN/Al_yGa_1-_yN multiple quantum well structures (x=0.6) and its relationship with internal quantum efficiency
作成者 : Kurai, Satoshi / Anai, Koji / Miyake, Hideto / Hiramatsu, Kazumasa / Yamada, Yoichi 掲載誌名 : Journal of applied physics 巻 : 116 号 : 23 開始ページ : 235703-1 終了ページ : 235703-6 発行日 : 2014 リポジトリID : 2015010094
アクセス件数 : 321 件 ダウンロード件数 : 197 件
Inhomogeneous distribution of defect-related emission in Si-doped AlGaN epitaxial layers with different Al content and Si concentration
作成者 : Kurai, Satoshi / Ushijima, Fumitaka / Miyake, Hideto / Hiramatsu, Kazumasa / Yamada, Yoichi 掲載誌名 : Journal of applied physics 巻 : 115 号 : 5 開始ページ : 053509 終了ページ : 発行日 : 2014 リポジトリID : 2014010716
アクセス件数 : 300 件 ダウンロード件数 : 124 件
Effects of exciton localization on internal quantum efficiency of InGaN nanowires
作成者 : Murotani, Hideaki / Yamada, Yoichi / Tabata, Takuya / Honda, Yoshio / Yamaguchi, Masahito / Amano, Hiroshi 掲載誌名 : Journal of Applied Physics 巻 : 114 号 : 15 開始ページ : 153506 終了ページ : 発行日 : 2013-10-21 リポジトリID : 2013010654
アクセス件数 : 432 件 ダウンロード件数 : 0 件
Emission wavelength dependence of internal quantum efficiency in InGaN nanowires
作成者 : Murotani, Hideaki / Andoh, Hiroya / Tsukamoto, Takehiko / Sugiura, Toko / Yamada, Yoichi / Tabata, Takuya / Honda, Yoshio / Yamaguchi, Masatoshi / Amano, Hiroshi 掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics 巻 : 52 号 : 8S 開始ページ : 08JE10 終了ページ : 発行日 : 2013-08 リポジトリID : 2013010486
アクセス件数 : 303 件 ダウンロード件数 : 0 件
Cathodoluminescence study of optical inhomogeneity in si-doped algan epitaxial layers grown by low-pressure metalorganic vapor-phase epitaxy
作成者 : 掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics 巻 : 52 号 : 8S 開始ページ : 08JL07 終了ページ : 発行日 : 2013-08 リポジトリID : 2013010487
アクセス件数 : 656 件 ダウンロード件数 : 0 件
Fabrication and evaluation of GaN layer composed of m- and {10-11} facet structure
作成者 : Okada, Narihito / Takami, Masaki / Yamada, Yoichi / Tadatomo, Kazuyuki 掲載誌名 : Japanese journal of applied physics 巻 : 52 号 : 1 開始ページ : 01AF06 終了ページ : 発行日 : 2013-01-25 リポジトリID : 2012011271
アクセス件数 : 643 件 ダウンロード件数 : 0 件
Correlation between in-plane strain and optical polarization of Si-doped AlGaN epitaxial layers as a function of Al content and Si concentration
作成者 : Kurai, Satoshi / Shimomura, Kazuhide / Murotani, Hideaki / Yamada, Yoichi / Miyake, Hideto / Hiramatsu, Kazumasa 掲載誌名 : Journal of applied physics 巻 : 112 号 : 3 開始ページ : 033512 終了ページ : 発行日 : 2012-08 リポジトリID : 2012010687
アクセス件数 : 454 件 ダウンロード件数 : 0 件
Dependence of internal quantum efficiency on doping region and Si concentration in Al-rich AlGaN quantum wells
作成者 : Murotani, Hideaki / Akase, Daiki / Anai, Koji / Yamada, Yoichi / Miyake, Hideto / Hiramatsu, Kazumasa 掲載誌名 : Applied physics letters 巻 : 101 号 : 4 開始ページ : 042110 終了ページ : 発行日 : 2012-07-23 リポジトリID : 2012010569
アクセス件数 : 741 件 ダウンロード件数 : 0 件
AlN homoepitaxial growth on sublimation-AlN substrate by low-pressure HVPE
作成者 : Nomura, Takuya / Okumura, Kenta / Miyake, Hideto / Hiramatsu, Kazumasa / Eryu, Osamu / Yamada, Yoichi 掲載誌名 : Journal of crystal growth 巻 : 350 号 : 1 開始ページ : 69 終了ページ : 71 発行日 : 2012-07-01 リポジトリID : 2012010972
アクセス件数 : 569 件 ダウンロード件数 : 0 件
Photoluminescence due to inelastic biexciton scattering from an Al_{0.61}Ga_{0.39}N ternary alloy epitaxial layer at room temperature
作成者 : Furutani, Yujiro / Kittaka, Ryo / Miyake, Hideto / Hiramatsu, Kazumasa / Yamada, Yoichi 掲載誌名 : Applied physics express 巻 : 5 号 : 7 開始ページ : 072401 終了ページ : 発行日 : 2012-07 リポジトリID : 2012010531
アクセス件数 : 538 件 ダウンロード件数 : 0 件
Spatial inhomogeneity of aluminum content in air-bridged lateral epitaxially grown AlGaN ternary alloy films probed by cross-sectional scanning near-field optical microscopy
作成者 : Ishibashi, Akihiko / Murotani, Hideaki / Yokogawa, Toshiya / Yamada, Yoichi 掲載誌名 : Japanese journal of applied physics 巻 : 51 号 : 3 開始ページ : 035604 終了ページ : 発行日 : 2012-03 リポジトリID : 2011010504
アクセス件数 : 467 件 ダウンロード件数 : 0 件
Structural and optical evaluation of InGaN/GaN multi-quantum wells on template consisting of in-plane alternately arranged relaxed InGaN and GaN
作成者 : Okada, Narihito / Yamada, Yoichi / Tadatomo, Kazuyuki 掲載誌名 : Journal of applied physics 巻 : 111 号 : 4 開始ページ : 043508 終了ページ : 発行日 : 2012-02-15 リポジトリID : 2011010486
アクセス件数 : 458 件 ダウンロード件数 : 0 件
Ultraviolet biexcitonic emission from AlGaN ternary alloys
作成者 : Yokogawa, Toshiya / Yamada, Yoichi 掲載誌名 : Electronics and communications in Japan 巻 : 94 号 : 6 開始ページ : 41 終了ページ : 47 発行日 : 2011-06 リポジトリID : 2011010305
アクセス件数 : 482 件 ダウンロード件数 : 0 件
Huge binding energy of localized biexcitons in Al-rich AlxGa1−xN ternary alloys
作成者 : Kittaka, Ryo / Muto, Hirotaka / Murotani, Hideaki / Yamada, Yoichi / Miyake, Hideto / Hiramatsu, Kazumasa 掲載誌名 : Applied physics letters 巻 : 98 号 : 8 開始ページ : 081907 終了ページ : 発行日 : 2011-02-21 リポジトリID : 2011010194
アクセス件数 : 461 件 ダウンロード件数 : 0 件
Silicon concentration dependence of optical polarization in AlGaN epitaxial layers
作成者 : Murotani, Hideaki / Yamada, Yoichi / Miyake, Hideto / Hiramatsu, Kazumasa 掲載誌名 : Applied physics letters 巻 : 98 号 : 2 開始ページ : 021910 終了ページ : 発行日 : 2011-01-10 リポジトリID : 2011010193
アクセス件数 : 518 件 ダウンロード件数 : 0 件
InGaN系量子井戸LED構造の選択励起下における発行効率
作成者 : 黒本, 径資 / 角川, 健一 / 山田, 陽一 / 田口, 常正 / 只友, 一行 / 工藤, 広光 / 岡川, 広明 掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告 巻 : 56 号 : 2 開始ページ : 63 終了ページ : 67 発行日 : 2006-03 リポジトリID : A040056000201
アクセス件数 : 878 件 ダウンロード件数 : 893 件
AlGaN混晶半導体における局在励起子分子
作成者 : 中村, 恒三 / 室谷, 英彰 / 山田, 陽一 / 田口, 常正 掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告 巻 : 56 号 : 1 開始ページ : 29 終了ページ : 37 発行日 : 2005-10 リポジトリID : A040056000104
アクセス件数 : 833 件 ダウンロード件数 : 605 件
In_xGa_1-xN/GaN 多重量子井戸構造におけるストークスシフトの温度依存性
作成者 : 佐々木, 千治 / 岩田, 政樹 / 山田, 陽一 / 田口, 常正 / 渡辺, 智 / Minsky, M. S. / 竹内, 哲也 / 山田, 範秀 掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告 巻 : 52 号 : 1 開始ページ : 57 終了ページ : 61 発行日 : 2001-10 リポジトリID : A030052000108
アクセス件数 : 788 件 ダウンロード件数 : 851 件
Cd_xZn_1-xS/ZnS/Mg_yZn_1-yS 分離閉じ込めヘテロ構造における励起子分子の発光特性
作成者 : 石﨑, 真也 / 村田, 晃 / 山田, 陽一 / 田口, 常正 掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告 巻 : 52 号 : 1 開始ページ : 51 終了ページ : 56 発行日 : 2001-10 リポジトリID : A030052000107
アクセス件数 : 626 件 ダウンロード件数 : 562 件
GaN薄膜の光学特性におけるSi添加効果
作成者 : 佐々木, 千治 / 山下, 龍也 / 山田, 陽一 / 田口, 常正 掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告 巻 : 50 号 : 2 開始ページ : 123 終了ページ : 127 発行日 : 2000-03 リポジトリID : A030050000205
アクセス件数 : 781 件 ダウンロード件数 : 591 件

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