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Correlation between in-plane strain and optical polarization of Si-doped AlGaN epitaxial layers as a function of Al content and Si concentration
作成者 : Kurai, Satoshi / Shimomura, Kazuhide / Murotani, Hideaki / Yamada, Yoichi / Miyake, Hideto / Hiramatsu, Kazumasa 掲載誌名 : Journal of applied physics 巻 : 112 号 : 3 開始ページ : 033512 終了ページ : 発行日 : 2012-08 リポジトリID : 2012010687
アクセス件数 : 486 件 ダウンロード件数 : 0 件
Dependence of internal quantum efficiency on doping region and Si concentration in Al-rich AlGaN quantum wells
作成者 : Murotani, Hideaki / Akase, Daiki / Anai, Koji / Yamada, Yoichi / Miyake, Hideto / Hiramatsu, Kazumasa 掲載誌名 : Applied physics letters 巻 : 101 号 : 4 開始ページ : 042110 終了ページ : 発行日 : 2012-07-23 リポジトリID : 2012010569
アクセス件数 : 773 件 ダウンロード件数 : 0 件
Spatial inhomogeneity of aluminum content in air-bridged lateral epitaxially grown AlGaN ternary alloy films probed by cross-sectional scanning near-field optical microscopy
作成者 : Ishibashi, Akihiko / Murotani, Hideaki / Yokogawa, Toshiya / Yamada, Yoichi 掲載誌名 : Japanese journal of applied physics 巻 : 51 号 : 3 開始ページ : 035604 終了ページ : 発行日 : 2012-03 リポジトリID : 2011010504
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Huge binding energy of localized biexcitons in Al-rich AlxGa1−xN ternary alloys
作成者 : Kittaka, Ryo / Muto, Hirotaka / Murotani, Hideaki / Yamada, Yoichi / Miyake, Hideto / Hiramatsu, Kazumasa 掲載誌名 : Applied physics letters 巻 : 98 号 : 8 開始ページ : 081907 終了ページ : 発行日 : 2011-02-21 リポジトリID : 2011010194
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Silicon concentration dependence of optical polarization in AlGaN epitaxial layers
作成者 : Murotani, Hideaki / Yamada, Yoichi / Miyake, Hideto / Hiramatsu, Kazumasa 掲載誌名 : Applied physics letters 巻 : 98 号 : 2 開始ページ : 021910 終了ページ : 発行日 : 2011-01-10 リポジトリID : 2011010193
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AlGaN混晶半導体における局在励起子分子
作成者 : 中村, 恒三 / 室谷, 英彰 / 山田, 陽一 / 田口, 常正 掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告 巻 : 56 号 : 1 開始ページ : 29 終了ページ : 37 発行日 : 2005-10 リポジトリID : A040056000104
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