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MBE 法によるGaN 単結晶基板上へのⅢ族窒化物半導体のホモエピタキシャル成長
作成者 : 田邉, 智之 / 渡邉, 肇之 / 小野, 基 / 南場, 康成 / 倉井, 聡 / 田口, 常正 / 井上, 孝行 / 栗田, 博 掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告 巻 : 52 号 : 2 開始ページ : 215 終了ページ : 220 発行日 : 2002-03 リポジトリID : A030052000212
アクセス件数 : 648 件 ダウンロード件数 : 913 件

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