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作成者ヨミ 別一覧


InGaN系量子井戸LED構造の選択励起下における発行効率
作成者 : 黒本, 径資 / 角川, 健一 / 山田, 陽一 / 田口, 常正 / 只友, 一行 / 工藤, 広光 / 岡川, 広明 掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告 巻 : 56 号 : 2 開始ページ : 63 終了ページ : 67 発行日 : 2006-03 リポジトリID : A040056000201
アクセス件数 : 983 件 ダウンロード件数 : 971 件
AlGaN混晶半導体における局在励起子分子
作成者 : 中村, 恒三 / 室谷, 英彰 / 山田, 陽一 / 田口, 常正 掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告 巻 : 56 号 : 1 開始ページ : 29 終了ページ : 37 発行日 : 2005-10 リポジトリID : A040056000104
アクセス件数 : 958 件 ダウンロード件数 : 676 件
省エネ型白色LEDサインパネル装置の改良
作成者 : 田口, 常正 掲載誌名 : 山口大学ベンチャービジネスラボラトリー年報 巻 : 8 号 : 開始ページ : 34 終了ページ : 34 発行日 : 2004 リポジトリID : D530008000011
アクセス件数 : 657 件 ダウンロード件数 : 0 件
省エネ型白色LEDサインパネル装置の改良
作成者 : 田口, 常正 掲載誌名 : 山口大学ベンチャービジネスラボラトリー年報 巻 : 7 号 : 開始ページ : 47 終了ページ : 47 発行日 : 2003 リポジトリID : D530007000018
アクセス件数 : 710 件 ダウンロード件数 : 0 件
MBE 成長におけるGaN 薄膜の極性制御
作成者 : 久保, 秀一 / 田邉, 智之 / 小西, 将史 / 岩田, 史郎 / 西明, 恒和 / 倉井, 聡 / 田口, 常正 掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告 巻 : 52 号 : 2 開始ページ : 221 終了ページ : 224 発行日 : 2002-03 リポジトリID : A030052000213
アクセス件数 : 992 件 ダウンロード件数 : 718 件
MBE 法によるGaN 単結晶基板上へのⅢ族窒化物半導体のホモエピタキシャル成長
作成者 : 田邉, 智之 / 渡邉, 肇之 / 小野, 基 / 南場, 康成 / 倉井, 聡 / 田口, 常正 / 井上, 孝行 / 栗田, 博 掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告 巻 : 52 号 : 2 開始ページ : 215 終了ページ : 220 発行日 : 2002-03 リポジトリID : A030052000212
アクセス件数 : 708 件 ダウンロード件数 : 956 件
白色LED照明光源の開発
作成者 : 田口, 常正 掲載誌名 : 山口大学ベンチャービジネスラボラトリー年報 巻 : 6 号 : 開始ページ : 53 終了ページ : 53 発行日 : 2002 リポジトリID : D530006000014
アクセス件数 : 703 件 ダウンロード件数 : 149 件
In_xGa_1-xN/GaN 多重量子井戸構造におけるストークスシフトの温度依存性
作成者 : 佐々木, 千治 / 岩田, 政樹 / 山田, 陽一 / 田口, 常正 / 渡辺, 智 / Minsky, M. S. / 竹内, 哲也 / 山田, 範秀 掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告 巻 : 52 号 : 1 開始ページ : 57 終了ページ : 61 発行日 : 2001-10 リポジトリID : A030052000108
アクセス件数 : 855 件 ダウンロード件数 : 918 件
Cd_xZn_1-xS/ZnS/Mg_yZn_1-yS 分離閉じ込めヘテロ構造における励起子分子の発光特性
作成者 : 石﨑, 真也 / 村田, 晃 / 山田, 陽一 / 田口, 常正 掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告 巻 : 52 号 : 1 開始ページ : 51 終了ページ : 56 発行日 : 2001-10 リポジトリID : A030052000107
アクセス件数 : 705 件 ダウンロード件数 : 610 件
白色LED照明光源の開発
作成者 : 田口, 常正 掲載誌名 : 山口大学ベンチャービジネスラボラトリー年報 巻 : 5 号 : 開始ページ : 90 終了ページ : 91 発行日 : 2001 リポジトリID : D530005000018
アクセス件数 : 517 件 ダウンロード件数 : 1766 件
GaN薄膜の光学特性におけるSi添加効果
作成者 : 佐々木, 千治 / 山下, 龍也 / 山田, 陽一 / 田口, 常正 掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告 巻 : 50 号 : 2 開始ページ : 123 終了ページ : 127 発行日 : 2000-03 リポジトリID : A030050000205
アクセス件数 : 866 件 ダウンロード件数 : 650 件
RF-MBE法ホモエピタキシャル成長におけるGaN基板の成長前表面処理
作成者 : 久保, 秀一 / 岡崎, 智一 / 真鍋, 茂樹 / 倉井, 聡 / 田口, 常正 掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告 巻 : 50 号 : 2 開始ページ : 117 終了ページ : 121 発行日 : 2000-03 リポジトリID : A030050000204
アクセス件数 : 655 件 ダウンロード件数 : 700 件
RF-MBE成長GaN薄膜の成長初期過程と降温過程
作成者 : 杉田, 泰一 / 久保, 秀一 / 河辺, 章 / 倉井, 聡 / 山田, 陽一 / 田口, 常正 掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告 巻 : 49 号 : 2 開始ページ : 225 終了ページ : 231 発行日 : 1999 リポジトリID : KJ00000157170
アクセス件数 : 797 件 ダウンロード件数 : 1480 件
ZnTe_xSe_<1-x> 混晶薄膜の光学特性と緑色発光ダイオードへの応用
作成者 : 千田, 和彦 / 岸野, 雅樹 / 重松, 弘 / 藤本, 正克 / 山田, 陽一 / 田口, 常正 掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告 巻 : 49 号 : 2 開始ページ : 233 終了ページ : 238 発行日 : 1999 リポジトリID : KJ00000157171
アクセス件数 : 784 件 ダウンロード件数 : 562 件
CdS系量子井戸構造における室温励起子発光
作成者 : 渡辺, 英史 / 山下, 龍也 / 山田, 陽一 / 田口, 常正 掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告 巻 : 49 号 : 1 開始ページ : 65 終了ページ : 70 発行日 : 1998 リポジトリID : KJ00000157147
アクセス件数 : 628 件 ダウンロード件数 : 924 件
ZnS薄膜における励起子発光特性の成長膜厚依存性
作成者 : 坂下, 孝史 / 佐々木, 千治 / 中村, 成志 / 山田, 陽一 / 田口, 常正 / 横川, 俊哉 掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告 巻 : 49 号 : 1 開始ページ : 71 終了ページ : 76 発行日 : 1998 リポジトリID : KJ00000157148
アクセス件数 : 986 件 ダウンロード件数 : 1877 件
MOCVD成長In_xGa_<1-x>N混晶薄膜のフォトルミネッセンス特性
作成者 : 内田, 章 / 山田, 陽一 / 田口, 常正 掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告 巻 : 48 号 : 2 開始ページ : 183 終了ページ : 189 発行日 : 1998 リポジトリID : KJ00000157126
アクセス件数 : 835 件 ダウンロード件数 : 578 件
RF-MBE法によるGaN薄膜の成長と光学的評価
作成者 : 福田, 大祐 / 河辺, 章 / 杉田, 泰一 / 岡田, 清彦 / 山田, 陽一 / 田口, 常正 掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告 巻 : 48 号 : 1 開始ページ : 89 終了ページ : 93 発行日 : 1997-10 リポジトリID : KJ00000157108
アクセス件数 : 601 件 ダウンロード件数 : 572 件
InGaN SQW 青色LEDの再結合発光におけるホットエレクトロン効果
作成者 : 工藤, 広光 / 藤本, 正克 / 山田, 陽一 / 田口, 常正 / 中村, 修二 / 四宮, 源市 掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告 巻 : 48 号 : 1 開始ページ : 95 終了ページ : 99 発行日 : 1997-10 リポジトリID : KJ00000157109
アクセス件数 : 800 件 ダウンロード件数 : 991 件
高品質ZnSエピタキシャル薄膜における励起子発光の温度依存性
作成者 : 中村, 成志 / 山元, 隆穂 / 山田, 陽一 / 田口, 常正 掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告 巻 : 47 号 : 2 開始ページ : 369 終了ページ : 374 発行日 : 1997-03 リポジトリID : KJ00000157087
アクセス件数 : 982 件 ダウンロード件数 : 3483 件

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