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作成者ヨミ 別一覧
セット1
セット5(レコード)
MBE 法によるGaN 単結晶基板上へのⅢ族窒化物半導体のホモエピタキシャル成長
作成者 :
田邉, 智之 / 渡邉, 肇之 / 小野, 基 / 南場, 康成 / 倉井, 聡 / 田口, 常正 / 井上, 孝行 / 栗田, 博
掲載誌名 :
山口大学工学部研究報告
巻 :
52
号 :
2
開始ページ :
215
終了ページ :
220
発行日 :
2002-03
リポジトリID :
A030052000212
アクセス件数 :
870 件
ダウンロード件数 :
1012 件
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