作成者ヨミ 別一覧
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MBE 法によるGaN 単結晶基板上へのⅢ族窒化物半導体のホモエピタキシャル成長
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作成者 : 田邉, 智之 / 渡邉, 肇之 / 小野, 基 / 南場, 康成 / 倉井, 聡 / 田口, 常正 / 井上, 孝行 / 栗田, 博
掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告
巻 : 52
号 : 2
開始ページ : 215
終了ページ : 220
発行日 : 2002-03
リポジトリID : A030052000212
アクセス件数 ： 870 件 ダウンロード件数 ： 1012 件
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