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作成者ヨミ 別一覧
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Inhomogeneous distribution of defect-related emission in Si-doped AlGaN epitaxial layers with different Al content and Si concentration
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作成者 : Kurai, Satoshi / Ushijima, Fumitaka / Miyake, Hideto / Hiramatsu, Kazumasa / Yamada, Yoichi
掲載誌名 : Journal of applied physics
巻 : 115
号 : 5
開始ページ : 053509
終了ページ :
発行日 : 2014
リポジトリID : 2014010716
アクセス件数 : 637 件
ダウンロード件数 : 430 件
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Si concentration dependence of structural inhomogeneities in Si-doped
Al_xGa_1-_xN/Al_yGa_1-_yN multiple quantum well structures (x=0.6) and its relationship with internal quantum efficiency
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作成者 : Kurai, Satoshi / Anai, Koji / Miyake, Hideto / Hiramatsu, Kazumasa / Yamada, Yoichi
掲載誌名 : Journal of applied physics
巻 : 116
号 : 23
開始ページ : 235703-1
終了ページ : 235703-6
発行日 : 2014
リポジトリID : 2015010094
アクセス件数 : 641 件
ダウンロード件数 : 495 件
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Cathodoluminescence study of optical inhomogeneity in si-doped algan epitaxial layers grown by low-pressure metalorganic vapor-phase epitaxy
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作成者 :
掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
巻 : 52
号 : 8S
開始ページ : 08JL07
終了ページ :
発行日 : 2013-08
リポジトリID : 2013010487
アクセス件数 : 968 件
ダウンロード件数 : 0 件
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Correlation between in-plane strain and optical polarization of Si-doped AlGaN epitaxial layers as a function of Al content and Si concentration
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作成者 : Kurai, Satoshi / Shimomura, Kazuhide / Murotani, Hideaki / Yamada, Yoichi / Miyake, Hideto / Hiramatsu, Kazumasa
掲載誌名 : Journal of applied physics
巻 : 112
号 : 3
開始ページ : 033512
終了ページ :
発行日 : 2012-08
リポジトリID : 2012010687
アクセス件数 : 740 件
ダウンロード件数 : 0 件
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A novel colonoscope with high color-rendering white light-emitting diodes
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作成者 : Nishikawa, Jun / Yanai, Hideo / Okamoto, Takeshi / Higaki, Shingo / Hashimoto, Shinichi / Kurai, Satoshi / Sakaida, Isao
掲載誌名 : Gastrointestinal endoscopy
巻 : 73
号 : 3
開始ページ : 598
終了ページ : 602
発行日 : 2011-03
リポジトリID : 2012010657
アクセス件数 : 1155 件
ダウンロード件数 : 0 件
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MBE 成長におけるGaN 薄膜の極性制御
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作成者 : 久保, 秀一 / 田邉, 智之 / 小西, 将史 / 岩田, 史郎 / 西明, 恒和 / 倉井, 聡 / 田口, 常正
掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告
巻 : 52
号 : 2
開始ページ : 221
終了ページ : 224
発行日 : 2002-03
リポジトリID : A030052000213
アクセス件数 : 1132 件
ダウンロード件数 : 770 件
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MBE 法によるGaN 単結晶基板上へのⅢ族窒化物半導体のホモエピタキシャル成長
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作成者 : 田邉, 智之 / 渡邉, 肇之 / 小野, 基 / 南場, 康成 / 倉井, 聡 / 田口, 常正 / 井上, 孝行 / 栗田, 博
掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告
巻 : 52
号 : 2
開始ページ : 215
終了ページ : 220
発行日 : 2002-03
リポジトリID : A030052000212
アクセス件数 : 871 件
ダウンロード件数 : 1012 件
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RF-MBE法ホモエピタキシャル成長におけるGaN基板の成長前表面処理
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作成者 : 久保, 秀一 / 岡崎, 智一 / 真鍋, 茂樹 / 倉井, 聡 / 田口, 常正
掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告
巻 : 50
号 : 2
開始ページ : 117
終了ページ : 121
発行日 : 2000-03
リポジトリID : A030050000204
アクセス件数 : 789 件
ダウンロード件数 : 749 件
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RF-MBE成長GaN薄膜の成長初期過程と降温過程
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作成者 : 杉田, 泰一 / 久保, 秀一 / 河辺, 章 / 倉井, 聡 / 山田, 陽一 / 田口, 常正
掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告
巻 : 49
号 : 2
開始ページ : 225
終了ページ : 231
発行日 : 1999
リポジトリID : KJ00000157170
アクセス件数 : 965 件
ダウンロード件数 : 1495 件
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