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Si concentration dependence of structural inhomogeneities in Si-doped Al_xGa_1-_xN/Al_yGa_1-_yN multiple quantum well structures (x=0.6) and its relationship with internal quantum efficiency
作成者 : Kurai, Satoshi / Anai, Koji / Miyake, Hideto / Hiramatsu, Kazumasa / Yamada, Yoichi 掲載誌名 : Journal of applied physics 巻 : 116 号 : 23 開始ページ : 235703-1 終了ページ : 235703-6 発行日 : 2014 リポジトリID : 2015010094
アクセス件数 : 398 件 ダウンロード件数 : 292 件
Inhomogeneous distribution of defect-related emission in Si-doped AlGaN epitaxial layers with different Al content and Si concentration
作成者 : Kurai, Satoshi / Ushijima, Fumitaka / Miyake, Hideto / Hiramatsu, Kazumasa / Yamada, Yoichi 掲載誌名 : Journal of applied physics 巻 : 115 号 : 5 開始ページ : 053509 終了ページ : 発行日 : 2014 リポジトリID : 2014010716
アクセス件数 : 389 件 ダウンロード件数 : 235 件
Cathodoluminescence study of optical inhomogeneity in si-doped algan epitaxial layers grown by low-pressure metalorganic vapor-phase epitaxy
作成者 : 掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics 巻 : 52 号 : 8S 開始ページ : 08JL07 終了ページ : 発行日 : 2013-08 リポジトリID : 2013010487
アクセス件数 : 727 件 ダウンロード件数 : 0 件
Correlation between in-plane strain and optical polarization of Si-doped AlGaN epitaxial layers as a function of Al content and Si concentration
作成者 : Kurai, Satoshi / Shimomura, Kazuhide / Murotani, Hideaki / Yamada, Yoichi / Miyake, Hideto / Hiramatsu, Kazumasa 掲載誌名 : Journal of applied physics 巻 : 112 号 : 3 開始ページ : 033512 終了ページ : 発行日 : 2012-08 リポジトリID : 2012010687
アクセス件数 : 522 件 ダウンロード件数 : 0 件
A novel colonoscope with high color-rendering white light-emitting diodes
作成者 : Nishikawa, Jun / Yanai, Hideo / Okamoto, Takeshi / Higaki, Shingo / Hashimoto, Shinichi / Kurai, Satoshi / Sakaida, Isao 掲載誌名 : Gastrointestinal endoscopy 巻 : 73 号 : 3 開始ページ : 598 終了ページ : 602 発行日 : 2011-03 リポジトリID : 2012010657
アクセス件数 : 923 件 ダウンロード件数 : 0 件
MBE 成長におけるGaN 薄膜の極性制御
作成者 : 久保, 秀一 / 田邉, 智之 / 小西, 将史 / 岩田, 史郎 / 西明, 恒和 / 倉井, 聡 / 田口, 常正 掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告 巻 : 52 号 : 2 開始ページ : 221 終了ページ : 224 発行日 : 2002-03 リポジトリID : A030052000213
アクセス件数 : 945 件 ダウンロード件数 : 687 件
MBE 法によるGaN 単結晶基板上へのⅢ族窒化物半導体のホモエピタキシャル成長
作成者 : 田邉, 智之 / 渡邉, 肇之 / 小野, 基 / 南場, 康成 / 倉井, 聡 / 田口, 常正 / 井上, 孝行 / 栗田, 博 掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告 巻 : 52 号 : 2 開始ページ : 215 終了ページ : 220 発行日 : 2002-03 リポジトリID : A030052000212
アクセス件数 : 659 件 ダウンロード件数 : 922 件
RF-MBE法ホモエピタキシャル成長におけるGaN基板の成長前表面処理
作成者 : 久保, 秀一 / 岡崎, 智一 / 真鍋, 茂樹 / 倉井, 聡 / 田口, 常正 掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告 巻 : 50 号 : 2 開始ページ : 117 終了ページ : 121 発行日 : 2000-03 リポジトリID : A030050000204
アクセス件数 : 614 件 ダウンロード件数 : 666 件
RF-MBE成長GaN薄膜の成長初期過程と降温過程
作成者 : 杉田, 泰一 / 久保, 秀一 / 河辺, 章 / 倉井, 聡 / 山田, 陽一 / 田口, 常正 掲載誌名 : 山口大学工学部研究報告 巻 : 49 号 : 2 開始ページ : 225 終了ページ : 231 発行日 : 1999 リポジトリID : KJ00000157170
アクセス件数 : 754 件 ダウンロード件数 : 1465 件

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