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Characterization of GaAs and AlGaAs layers grown by laser atomic layer epitaxy
作成者 : Miyoshi, Tadaki / Iwai, Sohachi / Iimura, Yasufumi / Aoyagi, Yoshinobu / Namba, Susumu 掲載誌名 : Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes 巻 : 29 号 : 8 開始ページ : 1435 終了ページ : 1436 発行日 : 1990 リポジトリID : 2008010223
アクセス件数 : 589 件 ダウンロード件数 : 1143 件
レーザー原子層エピタキシーによるGaAsパターン化成長層の評価
作成者 : 三好, 正毅 / 飯村, 靖文 / 岩井, 荘八 / 青柳, 克信 / 難波, 進 掲載誌名 : レーザー科学研究 巻 : 12 号 : 開始ページ : 114 終了ページ : 116 発行日 : 1990 リポジトリID : 2007020178
アクセス件数 : 552 件 ダウンロード件数 : 646 件
レーザー単原子層成長法による成長層の特性評価
作成者 : 三好, 正毅 / 飯村, 靖文 / 岩井, 荘八 / 青柳, 克信 / 瀬川, 勇三郎 / 難波, 進 掲載誌名 : レーザー科学研究 巻 : 11 号 : 開始ページ : 129 終了ページ : 131 発行日 : 1989 リポジトリID : 2007020177
アクセス件数 : 576 件 ダウンロード件数 : 894 件

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