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Characterization of structural defects in semipolar {202^-1} GaN layers grown on {224^-3} patterned sapphire substrates
作成者 : Yamane, Keisuke / Inagaki, Takashi / Hashimoto, Yasuhiro / Koyama, Masakazu / Okada, Narihito / Tadatomo, Kazuyuki 掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics 巻 : 53 号 : 3 開始ページ : 035502 終了ページ : 発行日 : 2014-03 リポジトリID : 2014010462
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