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Si concentration dependence of structural inhomogeneities in Si-doped Al_xGa_1-_xN/Al_yGa_1-_yN multiple quantum well structures (x=0.6) and its relationship with internal quantum efficiency
作成者 : Kurai, Satoshi / Anai, Koji / Miyake, Hideto / Hiramatsu, Kazumasa / Yamada, Yoichi 掲載誌名 : Journal of applied physics 巻 : 116 号 : 23 開始ページ : 235703-1 終了ページ : 235703-6 発行日 : 2014 リポジトリID : 2015010094
アクセス件数 : 260 件 ダウンロード件数 : 156 件
Inhomogeneous distribution of defect-related emission in Si-doped AlGaN epitaxial layers with different Al content and Si concentration
作成者 : Kurai, Satoshi / Ushijima, Fumitaka / Miyake, Hideto / Hiramatsu, Kazumasa / Yamada, Yoichi 掲載誌名 : Journal of applied physics 巻 : 115 号 : 5 開始ページ : 053509 終了ページ : 発行日 : 2014 リポジトリID : 2014010716
アクセス件数 : 244 件 ダウンロード件数 : 64 件
Correlation between in-plane strain and optical polarization of Si-doped AlGaN epitaxial layers as a function of Al content and Si concentration
作成者 : Kurai, Satoshi / Shimomura, Kazuhide / Murotani, Hideaki / Yamada, Yoichi / Miyake, Hideto / Hiramatsu, Kazumasa 掲載誌名 : Journal of applied physics 巻 : 112 号 : 3 開始ページ : 033512 終了ページ : 発行日 : 2012-08 リポジトリID : 2012010687
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Dependence of internal quantum efficiency on doping region and Si concentration in Al-rich AlGaN quantum wells
作成者 : Murotani, Hideaki / Akase, Daiki / Anai, Koji / Yamada, Yoichi / Miyake, Hideto / Hiramatsu, Kazumasa 掲載誌名 : Applied physics letters 巻 : 101 号 : 4 開始ページ : 042110 終了ページ : 発行日 : 2012-07-23 リポジトリID : 2012010569
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AlN homoepitaxial growth on sublimation-AlN substrate by low-pressure HVPE
作成者 : Nomura, Takuya / Okumura, Kenta / Miyake, Hideto / Hiramatsu, Kazumasa / Eryu, Osamu / Yamada, Yoichi 掲載誌名 : Journal of crystal growth 巻 : 350 号 : 1 開始ページ : 69 終了ページ : 71 発行日 : 2012-07-01 リポジトリID : 2012010972
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Photoluminescence due to inelastic biexciton scattering from an Al_{0.61}Ga_{0.39}N ternary alloy epitaxial layer at room temperature
作成者 : Furutani, Yujiro / Kittaka, Ryo / Miyake, Hideto / Hiramatsu, Kazumasa / Yamada, Yoichi 掲載誌名 : Applied physics express 巻 : 5 号 : 7 開始ページ : 072401 終了ページ : 発行日 : 2012-07 リポジトリID : 2012010531
アクセス件数 : 486 件 ダウンロード件数 : 0 件
Huge binding energy of localized biexcitons in Al-rich AlxGa1−xN ternary alloys
作成者 : Kittaka, Ryo / Muto, Hirotaka / Murotani, Hideaki / Yamada, Yoichi / Miyake, Hideto / Hiramatsu, Kazumasa 掲載誌名 : Applied physics letters 巻 : 98 号 : 8 開始ページ : 081907 終了ページ : 発行日 : 2011-02-21 リポジトリID : 2011010194
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Silicon concentration dependence of optical polarization in AlGaN epitaxial layers
作成者 : Murotani, Hideaki / Yamada, Yoichi / Miyake, Hideto / Hiramatsu, Kazumasa 掲載誌名 : Applied physics letters 巻 : 98 号 : 2 開始ページ : 021910 終了ページ : 発行日 : 2011-01-10 リポジトリID : 2011010193
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