Japanese | English

トップページへ戻る

作成者 別一覧


Epitaxial lateral overgrowth of thick semipolar {11$ \bar 2 $2} GaN by hydride vapor phase epitaxy
作成者 : Hashimoto, Yasuhiro / Furuya, Hiroshi / Ueno, Motohisa / Yamane, Keisuke / Okada, Narihito / Tadatomo, Kazuyuki 掲載誌名 : Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics 巻 : 11 号 : 3-4 開始ページ : 549 終了ページ : 552 発行日 : 2014-04 リポジトリID : 2014010315
アクセス件数 : 540 件 ダウンロード件数 : 0 件
Self-separation of large freestanding semipolar (11-22) GaN films using r-plane patterned sapphire substrates
作成者 : Furuya, Hiroshi / Yamane, Keisuke / Okada, Narihito / Tadatomo, Kazuyuki 掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics 巻 : 52 号 : 8S 開始ページ : 08JA09 終了ページ : 発行日 : 2013-08 リポジトリID : 2013010488
アクセス件数 : 397 件 ダウンロード件数 : 0 件
Reduction in dislocation density of semipolar GaN layers on patterned sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy
作成者 : Yamane, Keisuke / Ueno, Motohisa / Uchida, Katsumi / Furuya, Hiroshi / Okada, Narihito / Tadatomo, Kazuyuki 掲載誌名 : Applied physics express 巻 : 5 号 : 9 開始ページ : 095503 終了ページ : 発行日 : 2012-09 リポジトリID : 2012010766
アクセス件数 : 440 件 ダウンロード件数 : 0 件
Growth of {11-22} GaN on shallowly etched r-plane patterned sapphire substrates
作成者 : Furuya, Hiroshi / Okada, Narihito / Tadatomo, Kazuyuki 掲載誌名 : Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics : PSS 巻 : 9 号 : 3-4 開始ページ : 568 終了ページ : 571 発行日 : 2012-03 リポジトリID : 2012010124
アクセス件数 : 410 件 ダウンロード件数 : 0 件

[1]