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Dependence of internal quantum efficiency on doping region and Si concentration in Al-rich AlGaN quantum wells
作成者 : Murotani, Hideaki / Akase, Daiki / Anai, Koji / Yamada, Yoichi / Miyake, Hideto / Hiramatsu, Kazumasa 掲載誌名 : Applied physics letters 巻 : 101 号 : 4 開始ページ : 042110 終了ページ : 発行日 : 2012-07-23 リポジトリID : 2012010569
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