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フルテキストURL2007020178.pdf ( 2.5MB ) 公開日 2010-04-16
タイトルレーザー原子層エピタキシーによるGaAsパターン化成長層の評価
タイトルヨミレーザー ゲンシ ソウ エピタキシー ニヨル GaAs パターンカ セイチョウ ソウ ノ ヒョウカ
タイトル別表記Characterization of patterned epitaxial layers of GaAs grown by laser atomic layer epitaxy
作成者三好, 正毅
飯村, 靖文
岩井, 荘八
青柳, 克信
難波, 進
作成者ヨミミヨシ, タダキ
イイムラ, ヤスフミ
イワイ, ソウハチ
アオヤギ, ヨシノブ
ナンバ, ススム
作成者別表記Miyoshi, Tadaki
Iimura, Yasufumi
Iwai, Sohachi
Aoyagi, Yoshinobu
Namba, Susumu
作成者所属山口大学大学院理工学研究科(工学)
内容記述(抄録等)Raman spectra were measured at 300K in GaAs crystal layers grown selectively on a substrate by laser atomic layer epitaxy to characterize their quality. Raman spectra of the peripheral parts of the epitaxial layers are similar to those of the central parts of the layers. This result indicates that these layers are of uniform quality.
本文言語jpn
資料タイプtext
ファイル形式application/pdf
出版者理化学研究所
出版者ヨミリカガク ケンキュウジョ
NII資料タイプ学術雑誌論文
査読の有無査読あり
ISSN0289-8411
NCIDAN0035159X
掲載誌名レーザー科学研究
12
開始ページ114
終了ページ116
発行日1990
著者版/出版社版出版社版
リポジトリID2007020178
地域区分山口大学
URIhttp://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/2007020178