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フルテキストURL2007020177.pdf ( 2.1MB ) 公開日 2010-04-16
タイトルレーザー単原子層成長法による成長層の特性評価
タイトルヨミレーザー タンゲンシ ソウ セイチョウホウ ニヨル セイチョウ ソウ ノ トクセイ ヒョウカ
タイトル別表記Characterization of epitaxial layers grown by laser atomic layer epitaxy
作成者三好, 正毅
飯村, 靖文
岩井, 荘八
青柳, 克信
瀬川, 勇三郎
難波, 進
作成者ヨミミヨシ, タダキ
イイムラ, ヤスフミ
イワイ, ソウハチ
アオヤギ, ヨシノブ
セガワ, ユウサブロウ
ナンバ, ススム
作成者別表記Miyoshi, Tadaki
Iimura, Yasufumi
Iwai, Sohachi
Aoyagi, Yoshinobu
Segawa, Yusaburo
Namba, Susumu
作成者所属山口大学大学院理工学研究科(工学)
内容記述(抄録等)Raman spectra were measured at 300K in thin layers grown by laser atomic layer epitaxy in order to characterize the layers of alloy semiconductors. Two Raman lines were observed in Ga_<1-x>Al_xAs layers. The molar fractions x of Al were determined from the frequency shift of Raman lines: x=0.20 for the laser-irradiated region and x=0.35 for the nonirradiated region.
本文言語jpn
資料タイプtext
ファイル形式application/pdf
出版者理化学研究所
出版者ヨミリカガク ケンキュウジョ
NII資料タイプ学術雑誌論文
査読の有無査読あり
ISSN0289-8411
NCIDAN0035159X
掲載誌名レーザー科学研究
11
開始ページ129
終了ページ131
発行日1989
著者版/出版社版出版社版
リポジトリID2007020177
地域区分山口大学
URIhttp://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/2007020177