| フルテキストURL | 2008010223.pdf ( 255.9KB ) 公開日 2010-04-16
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| タイトル | Characterization of GaAs and AlGaAs layers grown by laser atomic layer epitaxy |
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| 作成者 | Miyoshi, Tadaki
Iwai, Sohachi
Iimura, Yasufumi
Aoyagi, Yoshinobu
Namba, Susumu
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| 作成者ヨミ | ミヨシ, タダキ
イワイ, ソウハチ
イイムラ, ヤスフミ
アオヤギ, ヨシノブ
ナンバ, ススム
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| 作成者別表記 | 三好, 正毅
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| 作成者所属 | 山口大学大学院理工学研究科（工学）
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| 内容記述（抄録等） | Raman spectra were measured at 300 K to characterize GaAs and AlGaAs layers grown by laser atomic layer epitaxy. The quality of the GaAs patterned layer grown by laser scanning was uniform in spite of the laser intensity profile. The molar fraction of Al in the peripheral region of the AlGaAs layer is affected by the intensity profile of the laser beam.
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| 本文言語 | eng
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| 著者キーワード | Raman scattering
stomic layer epitaxy
MOVPE
gallium arsenide
aluminum gallium arsenide
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| 資料タイプ | text |
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| ファイル形式 | application/pdf |
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| 出版者 | 応用物理学会
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| 出版者ヨミ | オウヨウ ブツリ ガッカイ
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| NII資料タイプ | 学術雑誌論文 |
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| 査読の有無 | 査読あり |
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| ISSN | 0021-4922
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| NCID | AA10457675
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| 掲載誌名 | Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes |
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| 巻 | 29 |
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| 号 | 8 |
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| 開始ページ | 1435 |
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| 終了ページ | 1436 |
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| 発行日 | 1990 |
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| DOI | info:doi/10.1143/JJAP.29.1435 |
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| 関連情報URL(IsPartOf) | http://www.ipap.jp/jjap/index.htm
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| 著者版/出版社版 | 著者版 |
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| リポジトリID | 2008010223 |
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| 地域区分 | 山口大学
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| URI | http://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/2008010223 |
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