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フルテキストURL2008010223.pdf ( 255.9KB ) 公開日 2010-04-16
タイトルCharacterization of GaAs and AlGaAs layers grown by laser atomic layer epitaxy
作成者Miyoshi, Tadaki
Iwai, Sohachi
Iimura, Yasufumi
Aoyagi, Yoshinobu
Namba, Susumu
作成者ヨミミヨシ, タダキ
イワイ, ソウハチ
イイムラ, ヤスフミ
アオヤギ, ヨシノブ
ナンバ, ススム
作成者別表記三好, 正毅
作成者所属山口大学大学院理工学研究科(工学)
内容記述(抄録等)Raman spectra were measured at 300 K to characterize GaAs and AlGaAs layers grown by laser atomic layer epitaxy. The quality of the GaAs patterned layer grown by laser scanning was uniform in spite of the laser intensity profile. The molar fraction of Al in the peripheral region of the AlGaAs layer is affected by the intensity profile of the laser beam.
本文言語eng
著者キーワードRaman scattering
stomic layer epitaxy
MOVPE
gallium arsenide
aluminum gallium arsenide
資料タイプtext
ファイル形式application/pdf
出版者応用物理学会
出版者ヨミオウヨウ ブツリ ガッカイ
NII資料タイプ学術雑誌論文
査読の有無査読あり
ISSN0021-4922
NCIDAA10457675
掲載誌名Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes
29
8
開始ページ1435
終了ページ1436
発行日1990
DOIinfo:doi/10.1143/JJAP.29.1435
関連情報URL(IsPartOf)http://www.ipap.jp/jjap/index.htm
著者版/出版社版著者版
リポジトリID2008010223
地域区分山口大学
URIhttp://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/2008010223