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フルテキストURL2008010002.pdf ( 1.0MB ) 公開日 2010-04-16
タイトルGaAs/Ga_<0.6>Al_<0.4>As 量子井戸での励起子ダイナミクスの電界効果
タイトルヨミGaAs Ga_<0.6> Al_<0.4> As リョウシ イド デノ レイキシ ダイナミクス ノ デンカイ コウカ
タイトル別表記Effect of electric field on dynamics of excitons in GaAs/Ga_<0.6>Al_<0.4>As multi-quantum-well structure
作成者三好, 正毅
青柳, 克信
山田, 篤
瀬川, 勇三郎
難波, 進
佐野, 直克
作成者ヨミミヨシ, タダキ
アオヤギ, ヨシノブ
ヤマダ, アツシ
セガワ, ユウサブロウ
ナンバ, ススム
サノ, ナオカツ
作成者別表記Miyoshi, Tadaki
Aoyagi, Yoshinobu
Yamada, Atsushi
Segawa, Yusaburo
Namba, Susumu
Sano, Naokatsu
作成者所属山口大学大学院理工学研究科(工学)
内容記述(抄録等)The decay time of luminescence from a multi-quantum well has been measured at 20K by using a CW mode-locked dye laser and a synchroscan-streak camera. The decay time is found to increase when an electric field is applied. The increase is considered to be attributable to the field-induced carrier separation. The present results are compared with those reported by other researchers.
本文言語jpn
資料タイプtext
ファイル形式application/pdf
出版者理化学研究所
出版者ヨミリカガク ケンキュウジョ
NII資料タイプ学術雑誌論文
査読の有無査読あり
ISSN0289-8411
NCIDAN0035159X
掲載誌名レーザー科学研究
8
開始ページ103
終了ページ105
発行日1986
著者版/出版社版出版社版
リポジトリID2008010002
地域区分山口大学
URIhttp://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/2008010002