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フルテキストURL2008010001.pdf ( 279.0KB ) 公開日 2010-04-16
タイトルGaAs/Ga_<1-x>AlxAs 量子井戸での担体のダイナミクス
タイトルヨミGaAs Ga_<1-x> Alx As リョウシ イド デノ タンタイ ノ ダイナミクス
タイトル別表記Carrier dynamics in GaAs/Ga_<1-x>AlxAs quantum well
作成者三好, 正毅
青柳, 克信
瀬川, 勇三郎
難波, 進
布下, 正宏
作成者ヨミミヨシ, タダキ
アオヤギ, ヨシノブ
セガワ, ユウサブロウ
ナンバ, ススム
ヌノシタ, マサヒロ
作成者別表記Miyoshi, Tadaki
Aoyagi, Yoshinobu
Segawa, Yusaburo
Namba, Susumu
Nunoshita, Masahiro
作成者所属山口大学大学院理工学研究科(工学)
内容記述(抄録等)Time characteristics of luminescence from quantum well have been examined using time-correlated single photon counting method. The decay time of the luminescence from single quantum well is shorter than that of bulk samples. The rapid decay is considered to reflect the enhancement of recombination due to localization of carriers. The decay time of the luminescence from multi quantum well is longer than that of the single quantum well and depends on wavelength. This dependence is explained by assuming the well size fluctuation.
本文言語jpn
資料タイプtext
ファイル形式application/pdf
出版者理化学研究所
出版者ヨミリカガク ケンキュウジョ
NII資料タイプ学術雑誌論文
査読の有無査読あり
ISSN0289-8411
NCIDAN0035159X
掲載誌名レーザー科学研究
6
開始ページ145
終了ページ148
発行日1984
著者版/出版社版出版社版
リポジトリID2008010001
地域区分山口大学
URIhttp://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/2008010001