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フルテキストURLD300016000011.pdf ( 2.3MB ) 公開日 2018-05-09
タイトルBiasing technique of MOSFET for an accurate and real-time-readout radiation sensor (2017年山口大学大学院東アジア研究科客員教員研究報告)
作成者Chooyat, Pongpisit
Lathai, Adul
Ge, Qi-Wei
Sa-Ngiamsak, Chiranut
作成者ヨミカツ, キイ
作成者別表記葛, 崎偉
作成者所属山口大学教育学部
内容記述(抄録等)This work reports a biasing technique of MOSFET for an accurate and real-time readout radiation measurement particularly during a radiation therapy given to cancer-related patients. The radiation beam energy induces a variation of threshold voltage (V_TH) of MOSFET during being exposed to gamma radiation. V_TH measurement of five different types of MOSFET were carried out in three methods by using OrCAD and MATLAB. The simulation results conclude that Method III is the most suitable one with high accuracy and ability to read out signal in real time process. Further use of this work is a prototype of a real- time readout radiation measurement using MOSFETs with low cost and high accuracy for patients diagnosed with cancer.
本文言語eng
著者キーワードMOSFET
Biasing Technique
Current Mode
Radiation
Threshold Voltage
Readout
資料タイプtext
ファイル形式application/pdf
出版者山口大学大学院東アジア研究科
出版者ヨミヤマグチ ダイガク ダイガクイン ヒガシアジア ケンキュウカ
NII資料タイプ学術雑誌論文
ISSN1347-9415
NCIDAA11831154
学内刊行物(紀要等)東アジア研究
掲載誌名東アジア研究
掲載誌名別表記Journal of East Asian studies
16
開始ページ175
終了ページ183
発行日2018-03
著者版/出版社版出版社版
リポジトリIDD300016000011
地域区分山口大学
URIhttp://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/D300016000011