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フルテキストURLA030052000212.pdf ( 696.5KB ) 公開日 2010-04-19
タイトルMBE 法によるGaN 単結晶基板上へのⅢ族窒化物半導体のホモエピタキシャル成長
タイトルヨミMBEホウ ニヨル GaNタンケッショウ キバンジョウ エノ IIIゾク チッカブツ ハンドウタイ ノ ホモエピタキシャル セイチョウ
タイトル別表記Homoepitaxial growth of III-nitride semiconductors on GaN single crystals by MBE
作成者田邉, 智之
渡邉, 肇之
小野, 基
南場, 康成
倉井, 聡
田口, 常正
井上, 孝行
栗田, 博
作成者ヨミタナベ, トモユキ
ワタナベ, タダシ
オノ, モトイ
ナンバ, ヤスナリ
クライ, サトシ
タグチ, ツネマサ
イノウエ, タカユキ
クリタ, ヒロシ
作成者別表記Tanabe, Tomoyuki
Watanabe, Tadashi
Ono, Motoi
Namba, Yasunari
Kurai, Satoshi
Taguchi, Tsunemasa
Inoue, Takayuki
Kurita, Hiroshi
作成者所属山口大学工学部
内容記述(抄録等)GaN, AlGaN epilayers and GaN/Al0.15Ga0.85N multiple quantum wells (MQWs) were grown on GaN single crystals by molecular beam epitaxy. The crystalline quality of the GaN and AlGaN epilayers was investigated by X-ray diffraction and photoluminescence spectroscopy. The crystalline quality and surface flatness of epilayers on GaN(0001) single crystals were superior to those on GaN ) 1 000 ( single crystals. The homoepitaxial GaN layers on GaN ) 1 000 ( single crystals always showed higher residual carrier concentration and have a bad influence on intentional doping of Mg(p-dopant) and Si(n-dopant). Low temperature photoluminescence spectra of the GaN/Al0.15Ga0.85N MQW exhibited intense QW-related emission peaks. The variation of QW transition energy versus the well thickness (from 2 ML to 18 ML:1 ML=2.59Å) indicates the presence of built-in electric field in the wurtzite GaN/ Al0.15Ga0.85N heterostructure.
本文言語jpn
著者キーワードMBE
GaN
AlGaN
AlGaN multiple quantum wells
GaN single crystal
主題工学
資料タイプtext
ファイル形式application/pdf
出版者山口大学工学部
出版者ヨミヤマグチ ダイガク コウガクブ
NII資料タイプ紀要論文
ISSN1345-5583
NCIDAA11422756
学内刊行物(紀要等)山口大学工学部研究報告
掲載誌名山口大学工学部研究報告
掲載誌名別表記Memoirs of the Faculty of Engineering, Yamaguchi University
52
2
開始ページ215
終了ページ220
発行日2002-03
関連情報URL(IsPartOf)http://memoirs.lib-e.yamaguchi-u.ac.jp/
著者版/出版社版出版社版
リポジトリIDA030052000212
地域区分山口大学
URIhttp://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/A030052000212