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フルテキストURL2015010094.pdf ( 1.5MB ) 公開日 2016-03-16
タイトルSi concentration dependence of structural inhomogeneities in Si-doped Al_xGa_1-_xN/Al_yGa_1-_yN multiple quantum well structures (x=0.6) and its relationship with internal quantum efficiency
作成者Kurai, Satoshi
Anai, Koji
Miyake, Hideto
Hiramatsu, Kazumasa
Yamada, Yoichi
作成者ヨミクライ, サトシ
アナイ, コウジ
ミヤケ, ヒデト
ヒラマツ, カズマサ
ヤマダ, ヨウイチ
作成者別表記倉井, 聡
作成者所属山口大学大学院理工学研究科(工学)
本文言語eng
資料タイプtext
ファイル形式application/pdf
出版者American Institute of Physics
NII資料タイプ学術雑誌論文
査読の有無査読あり
ISSN0021-8979
NCIDAA00693547
掲載誌名Journal of applied physics
116
23
開始ページ235703-1
終了ページ235703-6
発行日2014
DOIinfo:doi/10.1063/1.4904847
関連情報URL(IsPartOf)http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap
著者版/出版社版出版社版
備考[ページ]の”235703”は論文番号
リポジトリID2015010094
地域区分山口大学
URIhttp://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/2015010094