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フルテキストURLDT12100648_Abstract.pdf ( 7.8MB ) 公開日 2015-06-04
DT12100648_FullText.pdf ( 39.4MB ) 公開日 2015-06-04
タイトルr面サファイア加工基板を用いた半極性{11-22}GaNの成長に関する研究
タイトル別表記Growth of semi-polar{11-22} GaN on r-plane patterned sapphire substrates
作成者古家, 大士
作成者ヨミフルヤ, ヒロシ
作成者別表記Furuya, Hiroshi
作成者所属山口大学大学院理工学研究科
学位論文博士(工学)
本文言語jpn
資料タイプtext
ファイル形式application/pdf
NII資料タイプ学位論文
発行日2015
著者版/出版社版学位論文本文あり
リポジトリIDDT12100648
地域区分山口大学
学位授与番号理工博甲第648号
学位授与年月日2015-03-04
学位名博士(工学)
学位授与機関山口大学
URIhttp://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/DT12100648