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フルテキストURL2014010716.pdf ( 1.1MB ) 公開日 2017-11-13
タイトルInhomogeneous distribution of defect-related emission in Si-doped AlGaN epitaxial layers with different Al content and Si concentration
作成者Kurai, Satoshi
Ushijima, Fumitaka
Miyake, Hideto
Hiramatsu, Kazumasa
Yamada, Yoichi
作成者ヨミクライ, サトシ
ウシジマ, フミタカ
ヤマダ, ヨウイチ
作成者別表記倉井, 聡
牛島, 章貴
山田, 陽一
作成者所属山口大学大学院理工学研究科(工学)
本文言語eng
資料タイプtext
出版者American Institute of Physics
NII資料タイプ学術雑誌論文
ISSN0021-8979
NCIDAA00693547
掲載誌名Journal of applied physics
115
5
開始ページ053509
発行日2014
DOIinfo:doi/10.1063/1.4864020
関連情報URL(IsVersionOf)http://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.4864020
関連情報URL(IsPartOf)http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap
権利関係(C) 2014 AIP Publishing LLC
著者版/出版社版出版社版
備考開始ページの“053509”は論文番号
リポジトリID2014010716
地域区分山口大学
URIhttp://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/2014010716