| フルテキストURL | フルテキストリンクなし |
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| タイトル | Characterization of structural defects in semipolar {202^-1} GaN layers grown on {224^-3} patterned sapphire substrates |
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| 作成者 | Yamane, Keisuke
Inagaki, Takashi
Hashimoto, Yasuhiro
Koyama, Masakazu
Okada, Narihito
Tadatomo, Kazuyuki
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| 作成者ヨミ | ヤマネ, ケイスケ
イナガキ, タカシ
ハシモト, ヤスヒロ
コヤマ, マサカズ
オカダ, ナリヒト
タダトモ, カズユキ
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| 作成者別表記 | 山根, 啓輔
稲垣, 卓志
橋本, 健宏
小山, 正和
岡田, 成仁
只友, 一行
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| 作成者所属 | 山口大学大学院理工学研究科（工学）
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| 本文言語 | eng
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| 資料タイプ | text |
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| 出版者 | Japan Society of Applied Physics
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| NII資料タイプ | 学術雑誌論文 |
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| ISSN | 1347-4065
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| 掲載誌名 | Japanese Journal of Applied Physics |
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| 巻 | 53 |
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| 号 | 3 |
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| 開始ページ | 035502 |
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| 発行日 | 2014-03 |
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| DOI | info:doi/10.7567/JJAP.53.035502 |
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| 関連情報URL(IsPartOf) | http://iopscience.iop.org/1347-4065/
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| 著者版/出版社版 | その他 |
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| 備考 | 開始ページの"035502"はArticle number |
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| リポジトリID | 2014010462 |
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| 地域区分 | 山口大学
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| URI | http://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/2014010462 |
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