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タイトルCharacterization of structural defects in semipolar {202^-1} GaN layers grown on {224^-3} patterned sapphire substrates
作成者Yamane, Keisuke
Inagaki, Takashi
Hashimoto, Yasuhiro
Koyama, Masakazu
Okada, Narihito
Tadatomo, Kazuyuki
作成者ヨミヤマネ, ケイスケ
イナガキ, タカシ
ハシモト, ヤスヒロ
コヤマ, マサカズ
オカダ, ナリヒト
タダトモ, カズユキ
作成者別表記山根, 啓輔
稲垣, 卓志
橋本, 健宏
小山, 正和
岡田, 成仁
只友, 一行
作成者所属山口大学大学院理工学研究科(工学)
本文言語eng
資料タイプtext
出版者Japan Society of Applied Physics
NII資料タイプ学術雑誌論文
ISSN1347-4065
掲載誌名Japanese Journal of Applied Physics
53
3
開始ページ035502
発行日2014-03
DOIinfo:doi/10.7567/JJAP.53.035502
関連情報URL(IsPartOf)http://iopscience.iop.org/1347-4065/
著者版/出版社版その他
備考開始ページの"035502"はArticle number
リポジトリID2014010462
地域区分山口大学
URIhttp://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/2014010462