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タイトルEpitaxial lateral overgrowth of thick semipolar {11$ \bar 2 $2} GaN by hydride vapor phase epitaxy
作成者Hashimoto, Yasuhiro
Furuya, Hiroshi
Ueno, Motohisa
Yamane, Keisuke
Okada, Narihito
Tadatomo, Kazuyuki
作成者ヨミハシモト, ヤスヒロ
フルヤ, ヒロシ
ウエノ, モトヒサ
ヤマネ, ケイスケ
オカダ, ナリヒト
タダトモ, カズユキ
作成者別表記山根, 啓輔
岡田, 成仁
只友, 一行
作成者所属山口大学大学院理工学研究科(工学)
本文言語eng
著者キーワードGaN
HVPE
semipolar
ELO
crack
surface morphology
dislocation
資料タイプtext
出版者WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA
NII資料タイプ学術雑誌論文
ISSN1610-1642
掲載誌名Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics
11
3-4
開始ページ549
終了ページ552
発行日2014-04
DOIinfo:doi/10.1002/pssc.201300483
著者版/出版社版その他
リポジトリID2014010315
地域区分山口大学
URIhttp://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/2014010315