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フルテキストURLA030052000101.pdf ( 229.0KB ) 公開日 2010-04-19
タイトルCharacteristics of Recrystallized poly-Si Film Prepared by ELA of a-Si Deposited on SiO2 / SiN / Glass Using PE-CVD Method
作成者Kawamoto, Naoya
Abe, Hisashi
Matsuo, Naoto
Taguchi, Ryouhei
Nouda, Tomoyuki
Hamada, Hiroki
作成者ヨミカワモト, ナオヤ
アベ, ヒサシ
マツオ, ナオト
タグチ, リョウヘイ
ノウダ, トモユキ
ハマダ, ヒロキ
作成者別表記河本, 直哉
阿部, 寿
松尾, 直人
田口, 亮平
納田, 朋幸
浜田, 弘喜
作成者所属山口大学工学部
内容記述(抄録等)In this study, we investigate the characteristic of the poly-Si film prepared by the excimer laser annealing (ELA) method of a-Si deposited using plasma enhanced chemical vapor deposition (PE-CVD) method on SiO2 / SiN / glass substrate (SiN substrate). The crystallinity of the poly-Si film on the SiN substrate is better than that using low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) method on the quartz glass substrate (quartz substrate). The grain size of the poly-Si on the SiN substrate is smaller than that on the quartz substrate. These phenomena are due to the difference of the crystal growth mechanism. The stress in the poly-Si film on the SiN substrate is smaller than that on the quartz substrate. For the crystal growth mechanism on the SiN substrate, it is considered that hydrogens in the poly-Si play an important role.
本文言語eng
著者キーワードELA
poly-Si
hydrogen
SiN
stress
crystal growth mechanism
主題工学
資料タイプtext
ファイル形式application/pdf
出版者山口大学工学部
出版者ヨミヤマグチ ダイガク コウガクブ
NII資料タイプ紀要論文
ISSN1345-5583
NCIDAA11422756
学内刊行物(紀要等)山口大学工学部研究報告
掲載誌名山口大学工学部研究報告
掲載誌名別表記Memoirs of the Faculty of Engineering, Yamaguchi University
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開始ページ1
終了ページ4
発行日2001-10
関連情報URL(IsPartOf)http://memoirs.lib-e.yamaguchi-u.ac.jp/
著者版/出版社版出版社版
リポジトリIDA030052000101
地域区分山口大学
URIhttp://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/A030052000101