| フルテキストURL | フルテキストリンクなし |
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| タイトル | Epitaxy Part B. Epitaxial growth of GaN on Ppatterned sapphire substrates |
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| 作成者 | Tadatomo, Kazuyuki
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| 作成者ヨミ | タダトモ, カズユキ
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| 作成者別表記 | 只友, 一行
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| 作成者所属 | 山口大学大学院理工学研究科（工学）
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| 本文言語 | eng
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| 資料タイプ | text |
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| 出版者 | Springer
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| NII資料タイプ | 学術雑誌論文 |
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| ISSN | 0303-4216
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| NCID | AA00864151
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| 掲載誌名 | Topics in applied physics |
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| 巻 | 126 |
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| 開始ページ | 59 |
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| 終了ページ | 81 |
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| 発行日 | 2013 |
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| DOI | info:doi/10.1007/978-94-007-5863-6_4 |
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| 関連情報URL(IsPartOf) | http://link.springer.com/bookseries/560
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| リポジトリID | 2013010442 |
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| 地域区分 | 山口大学
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| URI | http://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/2013010442 |
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