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タイトルEpitaxy Part B. Epitaxial growth of GaN on Ppatterned sapphire substrates
作成者Tadatomo, Kazuyuki
作成者ヨミタダトモ, カズユキ
作成者別表記只友, 一行
作成者所属山口大学大学院理工学研究科(工学)
本文言語eng
資料タイプtext
出版者Springer
NII資料タイプ学術雑誌論文
ISSN0303-4216
NCIDAA00864151
掲載誌名Topics in applied physics
126
開始ページ59
終了ページ81
発行日2013
DOIinfo:doi/10.1007/978-94-007-5863-6_4
関連情報URL(IsPartOf)http://link.springer.com/bookseries/560
リポジトリID2013010442
地域区分山口大学
URIhttp://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/2013010442