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タイトル | Thermal quenching of defect photoluminescence and recombination rates of electron–hole pairs in a-Si:H |
タイトル別表記 | 欠陥光ルミネセンスの熱焼鈍及びa-Si:Hにおける電子正孔対の再結合速度
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作成者 | C. Ogihara
Y. Inagaki
A. Taketa
K. Morigakib
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作成者ヨミ | オギハラ, チサト
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作成者別表記 | 荻原, 千聡
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作成者所属 | 山口大学大学院理工学研究科(工学)
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本文言語 | eng
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著者キーワード | Amorphous
Silicon
Defects
Luminescence
Non-radiative recombination
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資料タイプ | text |
出版者 | North-Holland
Elsevier Science
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NII資料タイプ | 学術雑誌論文 |
ISSN | 0022-3093
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NCID | AA00703560
AA11533600
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掲載誌名 | Journal of non-crystalline solids |
巻 | 358 |
号 | 17 |
開始ページ | 2004 |
終了ページ | 2006 |
発行日 | 2012-09-01 |
DOI | info:doi/10.1016/j.jnoncrysol.2011.12.086 |
関連情報URL(IsPartOf) | http://www.sciencedirect.com/science/journal/00223093
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リポジトリID | 2013010004 |
地域区分 | 山口大学
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URI | http://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/2013010004 |