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タイトルThermal quenching of defect photoluminescence and recombination rates of electron–hole pairs in a-Si:H
タイトル別表記欠陥光ルミネセンスの熱焼鈍及びa-Si:Hにおける電子正孔対の再結合速度
作成者C. Ogihara
Y. Inagaki
A. Taketa
K. Morigakib
作成者ヨミオギハラ, チサト
作成者別表記荻原, 千聡
作成者所属山口大学大学院理工学研究科(工学)
本文言語eng
著者キーワードAmorphous
Silicon
Defects
Luminescence
Non-radiative recombination
資料タイプtext
出版者North-Holland
Elsevier Science
NII資料タイプ学術雑誌論文
ISSN0022-3093
NCIDAA00703560
AA11533600
掲載誌名Journal of non-crystalline solids
358
17
開始ページ2004
終了ページ2006
発行日2012-09-01
DOIinfo:doi/10.1016/j.jnoncrysol.2011.12.086
関連情報URL(IsPartOf)http://www.sciencedirect.com/science/journal/00223093
リポジトリID2013010004
地域区分山口大学
URIhttp://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/2013010004