| フルテキストURL | フルテキストリンクなし |
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| タイトル | Thermal quenching of defect photoluminescence and recombination rates of electron–hole pairs in a-Si:H |
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| タイトル別表記 | 欠陥光ルミネセンスの熱焼鈍及びa-Si:Hにおける電子正孔対の再結合速度
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| 作成者 | C. Ogihara
Y. Inagaki
A. Taketa
K. Morigakib
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| 作成者ヨミ | オギハラ, チサト
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| 作成者別表記 | 荻原, 千聡
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| 作成者所属 | 山口大学大学院理工学研究科（工学）
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| 本文言語 | eng
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| 著者キーワード | Amorphous
Silicon
Defects
Luminescence
Non-radiative recombination
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| 資料タイプ | text |
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| 出版者 | North-Holland
Elsevier Science
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| NII資料タイプ | 学術雑誌論文 |
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| ISSN | 0022-3093
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| NCID | AA00703560
AA11533600
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| 掲載誌名 | Journal of non-crystalline solids |
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| 巻 | 358 |
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| 号 | 17 |
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| 開始ページ | 2004 |
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| 終了ページ | 2006 |
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| 発行日 | 2012-09-01 |
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| DOI | info:doi/10.1016/j.jnoncrysol.2011.12.086 |
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| 関連情報URL(IsPartOf) | http://www.sciencedirect.com/science/journal/00223093
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| リポジトリID | 2013010004 |
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| 地域区分 | 山口大学
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| URI | http://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/2013010004 |
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