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タイトルTemperature variation of non-radiative recombination rate in a-Si : H films
作成者Ogihara, Chisato
Morigaki, Kazuo
作成者ヨミオギハラ, チサト
モリガキ, カズオ
作成者別表記荻原, 千聡
作成者所属山口大学大学院理工学研究科(工学)
本文言語eng
著者キーワードamorphous silicon
defects
recombination
light-induced effects
資料タイプtext
出版者Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA
NII資料タイプ学術雑誌論文
ISSN1862-6351
NCIDAA12375141
掲載誌名Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics : PSS
9
12
開始ページ2574
終了ページ2577
発行日2012-12
DOIinfo:doi/10.1002/pssc.201200199
関連情報URL(IsPartOf)http://onlinelibrary.wiley.com/journal/10.1002/(ISSN)1610-1642a
著者版/出版社版その他
リポジトリID2012011385
地域区分山口大学
URIhttp://www.lib.yamaguchi-u.ac.jp/yunoca/handle/2012011385